[發明專利]半導體功率器件、半導體功率器件的分壓環結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201711350262.0
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108091686A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 深圳市晶特智造科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙) 44419
• 代理人: 曹明蘭

1.一種半導體功率器件的分壓環結構，其特征在于：所述分壓環結構包括N型襯底、形成與所述N型襯底上的N型外延層、形成于所述N型外延層上的多條從內到外依序排列的分壓環、形成于所述N型外延層上且連接于相鄰兩條分壓環之間的N型深結、及形成于所述N型深結上且連接于相鄰兩條分壓環之間的交替排列的P型淺結及N型淺結。

2.如權利要求1所述的半導體功率器件的分壓環結構，其特征在于：所述P型淺結與所述N型淺結具有相同的離子注入劑量及結深。

3.如權利要求1所述的半導體功率器件的分壓環結構，其特征在于：所述P型淺結與所述N型淺結具有相同的離子注入劑量均在1E13至5E14的范圍內，所述P型淺結與所述N型淺結的結深均在5um至6um的范圍內。

4.權利要求1所述的半導體功率器件的分壓環結構，其特征在于：任意相鄰兩條分壓環之間的間距相等。

5.如權利要求1所述的半導體功率器件的分壓環結構，其特征在于：所述分壓環包括從內至外依序排列的第一分壓環、第二分壓環及第三分壓環，所述第一分壓環與第二分壓環之間的P型淺結的數量小于所述第二分壓環與所述第三分壓環之間的P型淺結的數量。

6.如權利要求5所述的半導體功率器件的分壓環結構，其特征在于：所述第一分壓環與所述第二分壓環之間的相鄰的兩個P型淺結之間的間距小于所述第二分壓環與所述第三分壓環之間的相鄰的兩個P型淺結之間的間距。

7.如權利要求5所述的半導體功率器件的分壓環結構，其特征在于：所述第一分壓環與所述第二分壓環之間的P型淺結與所述第二分壓環及第三分壓環之間的P型淺結錯位設置。

8.如權利要求1所述的半導體功率器件的分壓環結構，其特征在于：在相鄰兩條分壓環之間，所述N型淺結的寬度大于所述P型淺結的寬度。

9.一種半導體功率器件，其包括有源區及位于所述有源區外圍的分壓環結構，其特征在于：所述分壓環結構采用權利要求1-8項任意一項所述的分壓環結構。

10.一種如權利要求1-8項所述的半導體功率器件的分壓環結構的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步驟：

提供具有N型襯底的N型外延層，在所述N型外延層上形成N型深結；

在所述N型深結中形成多條貫穿所述N型深結并延伸至所述N型外延層表面的多條分壓環，所述多條分壓環由內至外依序排列；

在任意相鄰兩條分壓環之間的N型深結表面形成P型淺結，所述P型淺結連接與相鄰兩條分壓環之間；及

在任意相鄰兩條分壓環之間的N型深結表面形成與所述P型淺結交替排列的N型淺結。