[發明專利]一種復合膜及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 201711350174.0
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN109935701B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 程陸玲;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種用于紫外傳感器的復合膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供富勒醇，將所述富勒醇與硅烷偶聯劑混合后脫水，得到硅烷偶聯劑修飾的富勒烯，所述硅烷偶聯劑的通式為YSiX₃，其中X為烷氧基，Y為非水解基團，Y中碳鏈末端含有氨基取代基或巰基取代基；所述硅烷偶聯劑選自NH₂(CH₂)₃Si（OCH₃）₃、NH₂(CH₂)₃Si（OC₂H₅）₃、NH₂(CH₂)₂NH(CH₂)₃Si（OCH₃）₃、NH₂(CH₂)₂NH(CH₂)₃Si（OC₂H₅）₃和SH(CH₂)₃Si（OC₂H₅）₃中的一種；

提供零維寬帶隙納米顆粒溶液；所述零維寬帶隙納米顆粒溶液中的零維寬帶隙納米顆粒選自氧化鋅納米顆粒、硫化鋅納米顆粒和氮化鎵納米顆粒中的一種；

提供基板，將零維寬帶隙納米顆粒溶液沉積在所述基板上，形成第一薄膜；

在所述第一薄膜上沉積含所述硅烷偶聯劑修飾的富勒烯堿性溶液，形成第二薄膜，并在所述第一薄膜和第二薄膜的結合界面處，使位于第一薄膜表面的零維寬帶隙納米顆粒中的表面金屬元素與位于第二薄膜表面的富勒烯中的硅烷偶聯劑中的氨基或巰基結合，制備得到所述用于紫外傳感器的復合膜。

2.根據權利要求1所述的用于紫外傳感器的復合膜的制備方法，其特征在于，所述富勒醇的通式為C_m(OH)_n，其中，28≤m≤104，16≤n≤60，nm。

3.根據權利要求1所述的用于紫外傳感器的復合膜的制備方法，其特征在于，將所述富勒醇與硅烷偶聯劑混合后脫水的步驟中，按所述富勒醇與所述硅烷偶聯劑的摩爾比為1mmol：（15~20mmol），將所述富勒醇與所述硅烷偶聯劑進行混合后脫水。

4.根據權利要求1所述的用于紫外傳感器的復合膜的制備方法，其特征在于，所述零維寬帶隙納米顆粒溶液中的零維寬帶隙納米顆粒的帶隙范圍為3~4eV。

5.根據權利要求1所述的復合膜的制備方法，其特征在于，所述零維寬帶隙納米顆粒溶液中，所述零維寬帶隙納米顆粒的濃度為20~40mg/mL。

6.根據權利要求1所述的用于紫外傳感器的復合膜的制備方法，其特征在于，將所述零維寬帶隙納米顆粒溶液沉積在所述基板上，形成第一薄膜的步驟包括：將所述零維寬帶隙納米顆粒溶液沉積在所述基板上，在50~80℃條件下，退火處理30~60min，在所述基板上形成第一薄膜。

7.根據權利要求1所述的用于紫外傳感器的復合膜的制備方法，其特征在于，在所述第一薄膜上沉積含所述硅烷偶聯劑修飾的富勒烯堿性溶液，形成第二薄膜，并在所述第一薄膜和第二薄膜的界面處，使位于第一薄膜表面的零維寬帶隙納米顆粒中的表面金屬元素與位于第二薄膜表面的富勒烯中的硅烷偶聯劑中的氨基或巰基結合的步驟包括：采用電泳沉積的方式，將含所述硅烷偶聯劑修飾的富勒烯堿性溶液沉積在所述第一薄膜表面，在80~150℃條件下，熱處理30~60min，在所述第一薄膜上層疊形成第二薄膜。