[發明專利]一種閃存數據管理方法、裝置及存儲器有效
| 申請號: | 201711350040.9 | 申請日: | 2017-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN108062203B | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發明(設計)人: | 衛然 | 申請(專利權)人: | 北京兆易創新科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/06 | 分類號: | G06F3/06;G06F12/02 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 100083 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 閃存 數據管理 方法 裝置 存儲器 | ||
本發明公開了一種閃存數據管理方法、裝置及存儲器,所述方法包括:將數據管理表塊劃分為指引表塊、索引表塊、映射表塊和子表塊;其中,所述指引表塊中存儲所述索引表塊的物理地址;所述索引表塊中存儲所述映射表塊以及所述子表塊的物理地址;所述映射表塊中記錄每個邏輯塊地址對應的物理塊地址以及每個物理塊的首地址;所述子表塊中記錄空閑塊的物理地址。本發明實施例提供的閃存數據管理方法,采用基于塊的管理架構,以塊為最小管理單元,按層級化進行管理,減小了存儲在RAM上的管理表容量,實現了減少連續大數據的存儲及索引路徑,提高了大數據連續存儲以及輸出性能。
技術領域
本發明實施例涉及存儲技術領域,具體涉及一種閃存數據管理方法、裝置及存儲器。
背景技術
非易失閃存介質(Nor Flash/Nand Flash)是一種很常見的存儲芯片,兼有隨機存儲器(Random Access Memory,RAM)和只讀存儲器(Read-Only Memory,ROM)的優點,數據掉電不會丟失,是一種可在系統進行電擦寫的存儲器。其內部采用非線性宏單元模式,具有容量大,改寫速度快等優點,適用于大量數據的存儲,同時它的高集成度和低成本使它成為市場主流。非易失閃存介質是由內部成千上萬個存儲單元組成的,每個儲存單元存儲一位數據,多個存儲單元構成頁,多個頁組成塊,多個塊構成一個存儲單元陣列。
EMMC(Embedded Multi Media Card,嵌入式多媒體卡)是MMC協會訂立,主要針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標準規格,其封裝中集成了一個控制器,提供標準接口并管理閃存。目前,EMMC針對Nand Flash的管理架構主要有基于頁的管理架構,即以頁為單位,在建立的表中記錄每個物理頁所對應的邏輯地址。由于頁的存儲容量較小,對于一定存儲容量的存儲器來說,會包括很多的頁,因此管理表的數據量較大。尤其在大數據連續存儲的設備中(例如對音頻、視頻的存儲設備),基于頁的存儲架構會因其數據分割較多,管理表的數據量較大,影響連續數據的存儲及輸出性能。
發明內容
本發明實施例提供一種閃存數據管理方法、裝置及存儲器,提高了大數據連續存儲以及輸出性能。
第一方面,本發明實施例提供了一種閃存數據管理方法,該方法包括:
將數據管理表塊劃分為指引表塊、索引表塊、映射表塊和子表塊;
其中,所述指引表塊中存儲所述索引表塊的物理地址;所述索引表塊中存儲所述映射表塊以及所述子表塊的物理地址;所述映射表塊中記錄每個邏輯塊地址對應的物理塊地址以及每個物理塊的首地址;所述子表塊中記錄空閑塊的物理地址。
進一步地,對所述閃存進行數據寫操作,包括:
根據所述子表塊中記錄的空閑塊物理地址找到空閑塊;
對所述空閑塊進行順序寫操作;
當對所述空閑塊寫滿數據時,將所述空閑塊對應的物理地址與所述映射表塊中對應的邏輯塊的物理地址進行替換。
進一步地,對所述空閑塊進行順序寫操作之前,還包括:若所寫數據的邏輯起始地址與所述空閑塊的首地址不相同,則根據寫數據的邏輯起始地址、每個塊中包含的頁數量以及每個頁中包含的數據位對所述空閑塊的首地址進行變更并標記。
進一步地,對所述閃存進行數據讀取操作,包括:
根據尋址指令查詢子表塊中是否存在與尋址指令對應的物理塊,若存在,則從對應的物理塊讀取數據,否則,從映射表塊中查詢與所述尋址指令對應的物理塊,并根據物理塊的首地址讀取數據。
第二方面,本發明實施例還提供了一種閃存數據管理裝置,所述裝置包括:
劃分模塊,用于將數據管理表塊劃分為指引表塊、索引表塊、映射表塊和子表塊;
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