[發明專利]Fe基納米晶合金、使用其的電子組件和制造其的方法有效
| 申請號: | 201711348229.4 | 申請日: | 2017-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN108220768B | 公開(公告)日: | 2021-11-09 |
| 發明(設計)人: | 權相均;鄭昌烈;鄭鐘鎬;趙中英 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | C22C38/02 | 分類號: | C22C38/02;C22C38/16;C22C38/12;C22C38/14;C21D6/00 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 包國菊;金光軍 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | fe 納米 合金 使用 電子 組件 制造 方法 | ||
1.一種Fe基納米晶合金,所述Fe基納米晶合金由FexBySizMαAβ表示,其中,
M是從由Nb、V、W、Ta、Zr、Hf、Ti和Mo組成的組選擇的一種或更多種元素,
A是從由Cu和Au組成的組選擇的一種或兩種元素,
x、y、z基于原子百分比分別滿足:75%≤x≤81%、7%≤y≤9.5%以及4%≤z≤12%,
α和β分別滿足1.5at%≤α≤3at%和0.1at%≤β≤1.5at%,并且
在差示掃描量熱法曲線圖中,所述Fe基納米晶合金在一次結晶能帶中的第一峰具有雙峰形狀,并且所述Fe基納米晶合金還具有第二峰。
2.根據權利要求1所述的Fe基納米晶合金,其中,16at%≤y+z≤22at%。
3.根據權利要求1所述的Fe基納米晶合金,其中,所述Fe基納米晶合金具有1.4T或者更大的飽和磁通密度。
4.根據權利要求1所述的Fe基納米晶合金,其中,M是Nb。
5.根據權利要求1所述的Fe基納米晶合金,其中,A是Cu。
6.根據權利要求1所述的Fe基納米晶合金,對所述Fe基納米晶合金進行熱處理,所述熱處理包括以50K/min或更大的加熱速率將溫度從室溫升高至500℃至600℃并保持0.5小時至1.5小時。
7.一種電子組件,包括:
線圈部;以及
磁性片,設置為與所述線圈部相鄰,
其中,所述磁性片包含由式FexBySizMαAβ表示的Fe基納米晶合金,其中,
M是從由Nb、V、W、Ta、Zr、Hf、Ti和Mo組成的組選擇的一種或更多種元素,
A是從由Cu和Au組成的組選擇的一種或兩種元素,
x、y、z基于原子百分比分別滿足:75%≤x≤81%、7%≤y≤9.5%以及4%≤z≤12%,
α和β分別滿足1.5at%≤α≤3at%和0.1at%≤β≤1.5at%,并且
在差示掃描量熱法曲線圖中,所述Fe基納米晶合金在一次結晶能帶中的第一峰具有雙峰形狀,并且所述Fe基納米晶合金還具有第二峰。
8.根據權利要求7所述的電子組件,其中,在所述式中,16at%≤y+z≤22at%。
9.根據權利要求7所述的電子組件,其中,所述Fe基納米晶合金具有1.4T或更大的飽和磁通密度。
10.根據權利要求7所述的電子組件,其中,在所述式中,M是Nb。
11.根據權利要求7所述的電子組件,其中,在所述式中,A是Cu。
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