[發(fā)明專利]N型硅片硼擴(kuò)散方法、晶體硅太陽能電池及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711348116.4
• 申請(qǐng)日: 2017-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN108054088A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王釗;楊潔;鄭霈霆;張昕宇;金浩;劉洪偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/223
• 分類號(hào): H01L21/223;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李婷婷;王寶筠

1.一種N型硅片的硼擴(kuò)散方法，其特征在于，包括：

將制絨清洗后的硅片放入擴(kuò)散爐管內(nèi)，升溫至第一溫度；

進(jìn)行第一次沉積，在所述硅片表面形成第一硼擴(kuò)散；

升溫至第二溫度，并進(jìn)行推結(jié)，所述第二溫度高于所述第一溫度；

進(jìn)行第二次沉積，在所述硅片表面形成第二硼擴(kuò)散；

退火降溫，并將所述硅片從所述擴(kuò)散爐管內(nèi)取出；

其中，所述硅片表面上，所述第二硼擴(kuò)散的摻雜濃度大于所述第一硼擴(kuò)散的摻雜濃度，且所述第二硼擴(kuò)散的深度小于所述第一硼擴(kuò)散的深度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型硅片的硼擴(kuò)散方法，其特征在于，所述進(jìn)行第一次沉積，在所述硅片表面形成第一硼擴(kuò)散，具體包括：

往所述擴(kuò)散爐管內(nèi)通入氮?dú)狻⒀鯕夂蛿y硼源氮?dú)猓M(jìn)行第一次沉積，所述第一次沉積時(shí)間為20min-60min，包括端點(diǎn)值；

其中，所述氮?dú)獾臍怏w流量為9000sccm；

氧氣的氣體流量為50sccm-100sccm，包括端點(diǎn)值；

所述攜硼源氮?dú)鈿怏w流量為50sccm-150sccm，包括端點(diǎn)值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的N型硅片的硼擴(kuò)散方法，其特征在于，所述進(jìn)行第二次沉積，在所述硅片表面形成第二硼擴(kuò)散，具體包括：

往所述擴(kuò)散爐管內(nèi)通入氮?dú)狻⒀鯕夂蛿y硼源氮?dú)猓M(jìn)行第二次沉積，所述第二次沉積時(shí)間為10min-20min，包括端點(diǎn)值；

其中，所述氮?dú)獾臍怏w流量為9000sccm；

氧氣的氣體流量為100sccm-200sccm，包括端點(diǎn)值；

所述攜硼源氮?dú)鈿怏w流量為200sccm-400sccm，包括端點(diǎn)值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型硅片的硼擴(kuò)散方法，其特征在于，所述將制絨清洗后的硅片放入擴(kuò)散爐管內(nèi)，升溫至第一溫度，具體包括：

將制絨清洗后的硅片放入擴(kuò)散爐管內(nèi)；

通入氮?dú)猓獨(dú)鈿怏w流量為9000sccm；

按照升溫速率為10℃/min的速率，升溫至850℃-900℃，包括端點(diǎn)值。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的N型硅片的硼擴(kuò)散方法，其特征在于，所述升溫至第二溫度，并進(jìn)行推結(jié)，所述第二溫度高于所述第一溫度，具體包括：

通入氮?dú)猓龅獨(dú)鈿怏w流量為9000sccm；

按照升溫速率為10℃/min的速率，升溫至950℃-1000℃，包括端點(diǎn)值；

并通入氮?dú)夂脱鯕?0min-70min進(jìn)行推結(jié)，包括端點(diǎn)值；

其中，氮?dú)鈿怏w流量為9000sccm，氧氣氣體流量為500sccm-1000sccm，包括端點(diǎn)值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的N型硅片的硼擴(kuò)散方法，其特征在于，所述退火降溫，并將所述硅片從所述擴(kuò)散爐管內(nèi)取出，具體包括：

通入氮?dú)膺M(jìn)行降溫，氮?dú)鈿怏w流量為9000sccm，降溫速率為10℃/min；

待所述擴(kuò)散爐管內(nèi)溫度降至800℃，將所述硅片取出。

7.一種晶體硅太陽能電池的制作方法，包括硼擴(kuò)散步驟，其特征在于，所述硼擴(kuò)散步驟采用權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的硼擴(kuò)散方法。

8.一種晶體硅太陽能電池，其特征在于，采用權(quán)利要求7所述的晶體硅太陽能電池制作方法制作形成。