[發明專利]存儲器裝置及其操作方法

有效

• 申請號: 201711347939.5
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN109935250B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 江志和;劉逸青
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種存儲器裝置，包括：

一存儲器陣列，包括多個存儲器區塊，各該存儲器區塊包括多條存儲單元串，各該存儲器胞串包括至少一第一選擇晶體管及一第二選擇晶體管，各該第一選擇晶體管與各該第二選擇晶體管之間串聯設置至少一存儲單元；

多條位線，各該位線包括一第三選擇晶體管，各該位線耦接至所述存儲單元串的其中之一；

多個預充電電路，耦接至所述存儲單元串；以及

多個感測放大器電路，通過所述位線耦接至所述存儲單元串，

其中在一預充電階段，所述預充電電路以一第一電壓對所述存儲單元串預充電；在該預充電階段后的一寫入階段，對于被禁止的所述存儲單元串，對應于被禁止的所述存儲單元串的所述感測放大器電路提供一第二電壓，對于要寫入的所述存儲單元串，對應于要寫入的所述存儲單元串的所述感測放大器電路提供一第三電壓，該第二電壓大于該第三電壓，且該第一電壓大于該第二電壓。

2.如權利要求1所述的存儲器裝置，其中各該感測放大器電路耦接至所述存儲單元串其中之一。

3.如權利要求2所述的存儲器裝置，其中各該預充電電路包括一預充電開關，各該預充電開關為一高壓晶體管，各該預充電開關的一第一端耦接至一電壓源，各該預充電開關的一第二端耦接至所述存儲單元串的其中之一，且各該第三選擇晶體管為一高壓晶體管，

其中在該預充電階段，所述第三選擇晶體管關閉，所述預充電開關開啟，在該寫入階段，所述第三選擇晶體管開啟，所述預充電開關關閉。

4.如權利要求1所述的存儲器裝置，其中各該感測放大器電路耦接至所述存儲單元串其中之二。

5.如權利要求4所述的存儲器裝置，其中各該預充電電路包括一預充電開關，各該預充電開關為一高壓晶體管，各該預充電開關的一第一端耦接至一電壓源，各該預充電開關的一第二端耦接至所述存儲單元串的其中之一，且各該第三選擇晶體管為一高壓晶體管，

其中在該預充電階段，所述第三選擇晶體管關閉，所述預充電開關開啟，在該寫入階段，部分的所述預充電開關關閉，部分的所述預充電開關維持開啟，對應于關閉的所述預充電開關的所述第三選擇晶體管開啟，對應于維持開啟的所述預充電開關的所述第三選擇晶體管維持關閉。

6.一種存儲器裝置的操作方法，該操作方法用以操作一存儲器裝置，該存儲器裝置包括多個存儲單元串及多個感測放大器電路，該操作方法包括：

在一預充電階段，以一第一電壓對所述存儲單元串預充電；

在一寫入階段，部分的所述感測放大器電路提供一第二電壓至不寫入的所述存儲單元串，部分的所述感測放大器電路提供一第三電壓至要寫入的所述存儲單元串，

其中該第二電壓大于該第三電壓，且該第一電壓大于該第二電壓。

7.如權利要求6所述的操作方法，其中各該感測放大器電路耦接至所述存儲單元串其中之一。

8.如權利要求7所述的操作方法，其中該預充電階段由多個預充電電路執行，各該預充電電路包括一預充電開關，各該預充電開關耦接至所述存儲單元串的其中之一及一位線的一第三選擇晶體管，

其中在該預充電階段，關閉所述第三選擇晶體管，開啟所述預充電開關開啟；在該寫入階段，開啟所述第三選擇晶體管，關閉所述預充電開關。

9.如權利要求6所述的操作方法，其中各該感測放大器電路耦接至所述存儲單元串其中之二。

10.如權利要求9所述的操作方法，其中該預充電階段由多個預充電電路執行，各該預充電電路包括一預充電開關，各該預充電開關耦接至所述存儲單元串的其中之一及一位線的一第三選擇晶體管，

其中在該預充電階段，關閉所述第三選擇晶體管，開啟所述預充電開關；在該寫入階段，關閉部分的所述預充電開關，維持開啟部分的所述預充電開關，開啟對應于關閉的所述預充電開關的所述第三選擇晶體管，維持關閉對應于維持開啟的所述預充電開關的所述第三選擇晶體管。