[發明專利]鰭式場效應晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 201711347871.0
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN108010968B
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 南京溧水高新創業投資管理有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 深圳峰誠志合知識產權代理有限公司 44525
• 代理人: 李明香

1.一種鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在硅襯底表面形成源區和漏區；

在所述硅襯底表面形成氧化層，并對所述氧化層進行平坦化處理，使得所述源區和漏區暴露出來；

通過對將所述源區和漏區之間的溝道區中的氧化層進行刻蝕處理，去除所述溝道區中的氧化層；

在所述氧化層表面形成外延層，并對所述外延層進行回刻處理，其中所述外延層填充到所述溝道區；

對所述溝道區的外延層兩側的氧化層進行刻蝕處理；

在所述溝道區的外延層表面形成柵介質層，所述柵介質層覆蓋所述源區和漏區所述溝道區；

在所述柵介質層表面形成柵極；

在對所述溝道區的外延層兩側的氧化層進行刻蝕處理之后，所述溝道區的外延層兩側和所述氧化層之間分別形成間隙，所述間隙使得所述溝道區的外延層的側面也被暴露出來；所述柵介質層形成之后覆蓋所述源區和漏區，同時覆蓋所述溝道區的外延層表面和側面，其中覆蓋所述外延層側面的部分位于所述外延層和所述氧化層之間的間隙。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅襯底表面形成源區和漏區包括：

提供一個硅襯底，并在硅襯底的源區位置和漏區位置進行摻雜處理，形成源區和漏區；

在摻雜完成之后，通過光刻或刻蝕處理將源區和漏區刻蝕出來。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述源區和漏區采用離子注入方式進行摻雜，離子摻雜劑量為1.0¹⁵～9.0¹⁶個/cm²，注入能量為1～400KEV。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化層為二氧化硅層，且所述氧化層通過刻蝕或者化學機械拋光進行平坦化處理。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延層經過回刻處理之后，所述溝道區內部的外延層保留，并與所述源區和漏區的表面平整。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在柵介質層表面形成柵極的步驟包括：

在所述柵介質層表面生長出柵極材料層，所述柵極材料層整體覆蓋所述柵極材料層的表面；

在所述柵極材料層形成之后，通過光刻工藝將所述柵介質層表面的柵極材料層進行刻蝕處理，以使得所述柵極材料層僅覆蓋所述溝道區，而不覆蓋所述源區和漏區的主體部。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述柵極材料層為多晶硅層或者金屬材料層。

8.一種鰭式場效應晶體管，其特征在于，采用如權利要求1-7中任一項所述的鰭式場效應晶體管的制作方法制作而成。