[發明專利]一種復合反射膜氮化硅太陽能電池板制備方法在審

申請號：	201711347630.6	申請日：	2017-12-16
公開（公告）號：	CN108054218A	公開（公告）日：	2018-05-18
發明（設計）人：	王凱	申請（專利權）人：	天津市瓦克新能源科技有限公司
主分類號：	H01L31/0216	分類號：	H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	300000 天津市西***	國省代碼：	天津;12
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種復合反射氮化太陽能電池板制備方法
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【權利要求書】：

1.一種復合反射膜氮化硅太陽能電池板制備方法，其特征在于，該太陽能電池包括P型硅，所述P型硅的正面設有N+層、氫化非晶硅層，所述氫化非晶硅層設置在N+層的上表面，所述氫化非晶硅層的表面沉積有多孔氮化硅層，所述多孔氮化硅層上開有若干孔洞，所述氫化非晶硅層的表面設有Ag正電極，所述Ag正電極穿過多孔氮化硅層與氫化非晶硅層連接；所述P型硅的背面設有Al背電場、Ag背電極，所述Al背電場設置在P型硅下表面，所述Ag背電極穿過Al背電場與P型硅連接。

2.根據權利要求1所述的一種復合反射膜氮化硅太陽能電池板制備方法，其特征在于，該太陽能電池的制備方法，具體包括以下步驟：制絨；熱擴散制備p-n結；去PSG；氫化非晶硅層制備；在非晶硅層上放置掩膜，掩膜圖形將部分氫化非晶硅層遮蓋，然后沉積氮化硅，形成多孔氮化硅層，所述氫化非晶硅層、多孔氮化硅層配合形成復合減反膜；Ag背電極、Al背電場和Ag正電極的印刷和燒結。

3.根據權利要求1所述的一種復合反射膜氮化硅太陽能電池板制備方法，其特征在于，所述孔洞為圓形或正方形，且所述圓形或正方形孔洞在所述氫化非晶硅層上均勻分布，孔洞的直徑或邊長為100-500nm。

4.根據權利要求1所述的一種復合反射膜氮化硅太陽能電池板制備方法，其特征在于，所述多孔氮化硅層的厚度為70-85nm，折射率為2.07-2.15。

5.根據權利要求1所述的一種復合反射膜氮化硅太陽能電池板制備方法，其特征在于，所述多孔氮化硅層采用PECVD法制備。

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