[發(fā)明專利]接觸孔檢測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711346988.7
• 申請(qǐng)日: 2017-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN109935527B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種接觸孔檢測(cè)方法，其特征在于，所述接觸孔檢測(cè)方法包括步驟：

1)提供一襯底，所述襯底具有一底層、一表層及在所述底層與所述表層之間的金屬層，所述表層內(nèi)形成有至少一個(gè)接觸孔，所述接觸孔具有側(cè)壁和底部；所述底層還形成有緩沖層，所述緩沖層材料包括氮化硅或二氧化硅；所述金屬層在所述底層上形成，且設(shè)定為接地或連接至參考電位，所述金屬層材料包括鎢或銅；所述接觸孔的數(shù)量為多個(gè)，且多個(gè)所述接觸孔在所述襯底上呈陣列分布，所述接觸孔包括第一接觸孔和第二接觸孔中的至少一個(gè)，其中，所述第一接觸孔的底部完全打開，所述第二接觸孔的底部未打開；

2)于所述襯底的所述表層上形成一導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層不填滿所述接觸孔，所述導(dǎo)電層更覆蓋所述接觸孔的所述側(cè)壁和所述底部，且所述導(dǎo)電層自所述接觸孔內(nèi)延伸直至覆蓋于所述襯底的所述表層的上表面，形成的所述導(dǎo)電層包括鈦層和氮化鈦層中的至少一種，形成的所述導(dǎo)電層的厚度介于450～550埃之間；

3)向所述接觸孔內(nèi)注入電子；及，

4)將所述導(dǎo)電層通電后檢測(cè)所述接觸孔的所述底部是否連通至所述金屬層，并觀測(cè)所述襯底的表面電子分布狀態(tài)，所述襯底的表面電子分布狀態(tài)包含所述接觸孔的所述底部，當(dāng)檢測(cè)到所述接觸孔反白時(shí)，判定所述接觸孔為第二接觸孔；若檢測(cè)到的所述接觸孔不發(fā)光，則判定所述接觸孔為第一接觸孔；

5)當(dāng)檢測(cè)到所述接觸孔包括所述第二接觸孔時(shí)，去除所述表層上的所述導(dǎo)電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔檢測(cè)方法，其特征在于：所述步驟3)中，同時(shí)向多個(gè)所述接觸孔內(nèi)注入電子；所述步驟4)中，將所述導(dǎo)電層通電后同時(shí)對(duì)多個(gè)所述接觸孔進(jìn)行檢測(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項(xiàng)所述的接觸孔檢測(cè)方法，其特征在于：所述步驟3)中，使用掃描電子顯微鏡向所述接觸孔內(nèi)注入電子；所述步驟4)中，將所述導(dǎo)電層通電后使用所述掃描電子顯微鏡檢測(cè)所述接觸孔是否異常。