[發(fā)明專利]一種同軸裂縫全向天線

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711345057.5
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108281758A
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發(fā)明（設計）人: 高靜;胡衛(wèi)東;孫浩;袁士濤;王家明;劉魯軍;李霞
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽四創(chuàng)電子股份有限公司
• 主分類號: H01Q1/36
• 分類號: H01Q1/36;H01Q19/02;H01Q19/10
• 代理公司: 合肥和瑞知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 34118
• 代理人: 王挺

本發(fā)明涉及一種同軸裂縫全向天線，包括扼流單元、輻射單元和阻抗變換單元；輻射單元位于扼流單元與阻抗變換單元之間，扼流單元與輻射單元之間通過第一節(jié)內(nèi)導體固定連接，輻射單元與阻抗變換單元之間通過第三節(jié)內(nèi)導體固定連接；扼流單元與輻射單元之間設有輻射口，輻射單元與阻抗變換單元之間設有輻射口Ⅱ，扼流單元遠離輻射單元的一端部設有饋電口；第一節(jié)內(nèi)導體的一段貫穿扼流單元，另一段位于輻射單元內(nèi)且與其固定連接；第三節(jié)內(nèi)導體的一段貫穿阻抗變換單元，另一段位于輻射單元內(nèi)且與其固定連接。本發(fā)明的天線每個輻射口的幅度、相位相同，使得天線增益能夠達到較高值，提高了天線的工作性能。

技術(shù)領域

本發(fā)明屬于通信系統(tǒng)設計領域，具體地講涉及一種同軸裂縫全向天線。

背景技術(shù)

天線作為發(fā)射和接收電磁波的電子設備，是雷達天饋線系統(tǒng)的重要組成部分。在一些通信系統(tǒng)領域，為了實現(xiàn)信號的全方位覆蓋，需要采用全向天線。

傳統(tǒng)的全向天線大多采用單極子或者偶極子天線以及他們的變形形式，同軸饋線類型的全向天線多以CTS(Coaxial Transverse Stub)天線居多，但CTS天線的饋電方式一般為串饋，這樣就造成每個單元上的輻射功率呈現(xiàn)遞減的趨勢，導致增益很難做到很高。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供了一種同軸裂縫全向天線，該天線每個輻射口的幅度、相位相同，使得天線增益能夠達到較高值，提高了天線的工作性能。

本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種同軸裂縫全向天線，包括相互同軸的扼流單元、輻射單元和阻抗變換單元；所述輻射單元位于扼流單元與阻抗變換單元之間，扼流單元與輻射單元之間通過第一節(jié)內(nèi)導體固定連接，輻射單元與阻抗變換單元之間通過第三節(jié)內(nèi)導體固定連接；所述扼流單元與輻射單元之間設有輻射口Ⅰ，輻射單元與阻抗變換單元之間設有輻射口Ⅱ，扼流單元遠離輻射單元的一端部設有饋電口；

優(yōu)選的，所述第一節(jié)內(nèi)導體的一端貫穿扼流單元，另一端位于輻射單元內(nèi)且與輻射單元固定連接；所述第三節(jié)內(nèi)導體的一端貫穿阻抗變換單元，另一端位于輻射單元內(nèi)且與輻射單元固定連接；所述第一節(jié)內(nèi)導體和第三節(jié)內(nèi)導體均為柱狀，且相互同軸；

進一步優(yōu)選的，所述扼流單元包括有與第一節(jié)內(nèi)導體同軸的外筒Ⅰ和外筒Ⅱ，外筒Ⅰ和外筒Ⅱ均沿第一節(jié)內(nèi)導體的長度方向依次套設在第一節(jié)內(nèi)導體的外圍；所述外筒Ⅱ位于外筒Ⅰ與輻射單元之間，外筒Ⅰ與外筒Ⅱ之間設有形成扼流槽的間隙；所述扼流單元中所在的第一節(jié)內(nèi)導體的表面均設置有絕緣層，第一節(jié)內(nèi)導體遠離輻射單元的一端部為所述饋電口；所述外筒Ⅱ靠近輻射單元的一端部設有環(huán)狀封蓋Ⅰ，所述封蓋Ⅰ的外圓邊緣與外筒Ⅱ固定連接，封蓋Ⅰ的內(nèi)圓邊緣抵靠在第一節(jié)內(nèi)導體的絕緣層上；所述封蓋Ⅰ與輻射單元之間設有間隙從而形成輻射口Ⅰ。

更進一步優(yōu)選的，所述輻射單元包括有與第一節(jié)內(nèi)導體同軸的第二節(jié)內(nèi)導體Ⅰ、第二節(jié)內(nèi)導體Ⅱ和外筒Ⅲ，所述第二節(jié)內(nèi)導體Ⅰ為筒狀，第二節(jié)內(nèi)導體Ⅱ為柱狀；所述第二節(jié)內(nèi)導體Ⅱ的兩端部分別與第一節(jié)內(nèi)導體和第三節(jié)內(nèi)導體固定連接，第二節(jié)內(nèi)導體Ⅱ、第三節(jié)內(nèi)導體、第一節(jié)內(nèi)導體的直徑大小依次由大到小設置；所述第二節(jié)內(nèi)導體Ⅰ嵌套在第一節(jié)內(nèi)導體的外圍，第二節(jié)內(nèi)導體Ⅰ的內(nèi)表面抵靠在第一節(jié)內(nèi)導體的絕緣層上；所述第二節(jié)內(nèi)導體Ⅰ與第二節(jié)內(nèi)導體Ⅱ之間設有間隙，且間隙處所在的第一節(jié)內(nèi)導體的段落為裸露導體；所述外筒Ⅲ嵌套在第二節(jié)內(nèi)導體Ⅰ和第二節(jié)內(nèi)導體Ⅱ的外圍，所述外筒Ⅲ靠近扼流單元的一端部與扼流單元的封蓋Ⅰ之間設有間隙從而形成所述輻射口Ⅰ，外筒Ⅲ靠近阻抗變換單元的一端部與阻抗變換單元之間設有間隙從而形成輻射口Ⅱ。

更進一步優(yōu)選的，所述阻抗變換單元包括有與第三節(jié)內(nèi)導體同軸的外筒Ⅳ，所述外筒Ⅳ靠近輻射單元的一端部設有環(huán)狀封蓋Ⅱ，所述封蓋Ⅱ的外圓邊緣與外筒Ⅳ固定連接，封蓋Ⅱ的內(nèi)圓邊緣抵靠在第三節(jié)內(nèi)導體的表面上；所述封蓋Ⅱ與外筒Ⅲ之間設有間隙從而形成輻射口Ⅱ。