[發明專利]半導體裝置用接合線

在審

• 申請號: 201711344468.2
• 申請日: 2016-05-19
• 公開（公告）號: CN107962313A
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 山田隆;小田大造;榛原照男;大石良;齋藤和之;宇野智裕
• 申請（專利權）人: 日鐵住金新材料股份有限公司;新日鐵住金高新材料株式會社
• 主分類號: B23K35/02
• 分類號: B23K35/02;B23K35/30;C22C5/04;C22C9/00;C22C9/04;C22C9/06;H01L23/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所11247
• 代理人: 劉航,段承恩

1.一種半導體裝置用接合線，其特征在于，具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆層，

所述接合線包含賦予高溫環境下的連接可靠性的元素，

在對與所述接合線的線軸垂直的方向的芯材截面測定晶體取向所得到的結果中，線長度方向的晶體取向之中相對于線長度方向角度差為15度以下的晶體取向＜100＞的取向比率為30％以上，

與所述接合線的線軸垂直的方向的芯材截面的平均結晶粒徑為0.9～1.5μm。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，

用下述(1)式定義的耐力比為1.1～1.6，

耐力比＝最大耐力/0.2％耐力(1)。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，

所述Pd被覆層的厚度為0.015～0.150μm。

4.根據權利要求1～3的任一項所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，

在所述Pd被覆層上還具有包含Au和Pd的合金表皮層。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，

所述包含Au和Pd的合金表皮層的厚度為0.050μm以下。

6.根據權利要求1～5的任一項所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，

所述接合線包含選自Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt之中的至少1種元素，相對于線整體，所述元素的濃度總計為0.011～2質量％。

7.根據權利要求1～6的任一項所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，

所述接合線包含選自Ga、Ge之中的1種以上的元素，相對于線整體，所述元素的濃度合計為0.011～1.5質量％。

8.根據權利要求1～7的任一項所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，

所述接合線包含選自As、Te、Sn、Sb、Bi、Se之中的1種以上的元素，相對于線整體，所述元素的濃度合計為0.1～100質量ppm，Sn≤10質量ppm，Sb≤10質量ppm，Bi≤1質量ppm。

9.根據權利要求1～8的任一項所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，

所述接合線還包含選自B、P、Mg、Ca、La之中的至少1種元素，相對于線整體，所述元素的濃度分別為1～200質量ppm。

10.根據權利要求1～9的任一項所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，

在所述接合線的最表面存在Cu。

11.根據權利要求1～10的任一項所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，

Cu合金芯材含有總計為0.1～3.0質量％的元素周期表第10族的金屬元素，線最表面的Cu濃度為1原子％以上。