[發(fā)明專利]柔性顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711343775.9 | 申請日: | 2015-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN107978625B | 公開(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 尹相天;梁熙皙;金成祐;趙允東;權(quán)世烈;李塞里努里 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;譚天 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柔性 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
基底層,所述基底層包括在具有顯示像素的第一部和連接至柔性印刷電路板的第二部之間的彎曲容許部;
在所述第一部以及彎曲至所述第一部的后側(cè)的所述第二部之間的支承構(gòu)件;
第一粘合劑層,所述第一粘合劑層位于所述支承構(gòu)件的上表面處并定位于所述第一部;以及
第二粘合劑層,所述第二粘合劑層位于所述支承構(gòu)件的下表面處并定位于所述第二部;
所述第一粘合劑層相比所述第二粘合劑層進一步朝向所述彎曲容許部延伸;以及
其中所述第一粘合劑層和所述第二粘合劑層的厚度不同。
2.權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中所述第一粘合劑層與所述支承構(gòu)件接觸,以及所述第二粘合劑層與所述支承構(gòu)件接觸。
3.權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中所述第一粘合劑層和所述第二粘合劑層中的至少一者具有多層。
4.權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中所述第一粘合劑層和所述第二粘合劑層中的至少一者包括壓敏粘合劑、泡沫型粘合劑、液體粘合劑、光固化粘合劑,或者襯墊材料。
5.權(quán)利要求3所述的顯示裝置,還包括:
在所述基底層的所述第一部和所述第一粘合劑層之間的第一支承層;
在所述基底層的所述第二部和所述第二粘合劑層之間的第二支承層;
在所述顯示像素上方的封裝層;
在所述封裝層上方的偏振層,以及
其中所述第一支承層或所述支承構(gòu)件相比所述第二粘合劑層進一步朝向所述彎曲容許部延伸,以及
其中所述第一支承層或所述第二支承層相比所述偏振層進一步朝向所述彎曲容許部延伸。
6.權(quán)利要求5所述的顯示裝置,
其中所述第一粘合劑層或所述第二粘合劑層由可壓縮材料形成并用作襯墊。
7.一種顯示裝置,包括:
基底層,所述基底層具有中心部和彎曲部,所述中心部具有其上形成有顯示像素的有源區(qū)域,所述彎曲部在彎曲線處朝向所述基底層的下側(cè)彎曲;
附接至所述中心部的內(nèi)表面的第一支承膜;
附接至所述彎曲部的內(nèi)表面的第二支承膜;
在所述第一支承膜與所述第二支承膜之間的支承構(gòu)件,
所述第一支承膜和所述第二支承膜以與所述支承構(gòu)件不同的長度朝向所述彎曲線延伸;
其中所述第一支承膜相比所述第二支承膜進一步朝向所述彎曲線延伸;以及
其中所述顯示裝置還包括:
在所述基底層的所述中心部上方的偏振層,以及
其中所述第一支承膜和所述第二支承膜中至少之一相比所述偏振層朝向所述彎曲線進一步延伸得更多。
8.權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其中所述第一支承膜相比所述基底層的所述中心部之上的封裝層的聚合物層進一步朝向所述彎曲線延伸。
9.權(quán)利要求7所述的顯示裝置,還包括:
在所述第一支承膜和所述支承構(gòu)件之間的第一粘合劑層;
在所述第二支承膜和所述支承構(gòu)件之間的第二粘合劑層;
其中所述第一粘合劑層相比所述第二粘合劑層朝向所述彎曲線進一步延伸得更多;以及
其中所述第二粘合劑層和所述支承構(gòu)件以不同長度朝向所述彎曲線延伸。
10.權(quán)利要求9所述的顯示裝置,其中所述第一粘合劑層和所述第二粘合劑層中的至少一者包括壓敏粘合劑、泡沫型粘合劑、液體粘合劑、光固化粘合劑,或者襯墊層,以及
其中所述第一粘合劑層和所述第二粘合劑層中的至少一者具有多層,以及
其中所述第一粘合劑層和所述第二粘合劑層的厚度不同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





