[發(fā)明專利]電壓可變衰減器、集成電路和衰減方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711343320.7
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108233892A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設計）人: A·M·A·歐斯曼;M·M·R·艾斯梅爾
• 申請（專利權(quán)）人: 亞德諾半導體集團
• 主分類號: H03H11/24
• 分類號: H03H11/24
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉倜

1.電壓可變衰減器，包括：

衰減網(wǎng)絡，包括至少一個串聯(lián)臂和耦合到所述至少一個串聯(lián)臂的至少一個分路臂，其中所述至少一個分路臂的電阻是可控的，以便改變所述電壓可變衰減器的衰減；和

耦合所述衰減網(wǎng)絡的匹配網(wǎng)絡，其中所述匹配網(wǎng)絡包括至少一個其值可控以改變所述電壓可變衰減器的輸出阻抗的元件。

2.權(quán)利要求1所述的電壓可變衰減器，其中所述至少一個元件包括至少一個具有可控電阻的電阻元件。

3.權(quán)利要求2所述的電壓可變衰減器，其中所述至少一個電阻元件被實現(xiàn)為一個或多個場效應晶體管(FET)。

4.權(quán)利要求3所述的電壓可變衰減器，其中所述一個或多個FET的柵極被一個或多個控制電壓偏置。

5.權(quán)利要求1所述的電壓可變衰減器，還包括被配置為產(chǎn)生一個或多個控制電壓的控制電路，所述控制電壓被設置為控制所述至少一個分路臂的電阻和所述至少一個元件的值。

6.權(quán)利要求5所述的電壓可變衰減器，其中所述一個或多個控制電壓包括被設置為控制所述至少一個分路臂的電阻和所述至少一個元件的值的第一控制電壓。

7.權(quán)利要求6所述的電壓可變衰減器，其中所述電壓可變衰減器被配置為使得所述第一控制電壓信號的增加會增加所述電壓可變衰減器的衰減并降低所述電壓可變衰減器的輸出阻抗。

8.權(quán)利要求5所述的電壓可變衰減器，其中所述匹配網(wǎng)絡包括至少兩個分路匹配臂和開關，所述開關設置成控制所述至少兩個分路匹配臂中的哪一個由所述一個或多個控制電壓控制。

9.權(quán)利要求1所述的電壓可變衰減器，其中所述至少一個分路臂包括兩個或多個分路臂。

10.權(quán)利要求1所述的電壓可變衰減器，其中所述匹配網(wǎng)絡還包括至少一個串聯(lián)匹配臂和至少一個分路匹配臂，其中，所述至少一個分路匹配臂包括至少一個元件。

11.權(quán)利要求10所述的電壓可變衰減器，其中所述至少一個串聯(lián)匹配臂包括電感元件并且所述至少一個分路匹配臂還包括電容元件。

12.權(quán)利要求1所述的電壓可變衰減器，其中所述至少一個串聯(lián)臂包括電感器、傳輸線或電阻器中的至少一個。

13.權(quán)利要求1所述的電壓可變衰減器，其中所述匹配網(wǎng)絡包括兩個或多個分路匹配臂和多路復用器，所述多路復用器耦合所述兩個或多個分路匹配臂中的每一個以及一個或多個控制電壓。

14.權(quán)利要求13所述的電壓可變衰減器，其中所述多路復用器基于所述電壓可變衰減器的所需操作頻率來確定要控制所述兩個或多個臂中的哪一個。

15.權(quán)利要求1所述的電壓可變衰減器，在集成電路上實施。

16.集成電路，包括：

輸入端口；

耦合所述輸入端口的電壓可變衰減器；

耦合所述電壓可變衰減器的可控匹配網(wǎng)絡；和

耦合所述可控匹配網(wǎng)絡的輸出端口。

17.權(quán)利要求16所述的集成電路，還包括控制電路，耦合所述電壓可變衰減器和所述可控匹配網(wǎng)絡，并被布置為供應至少一個控制電壓至所述電壓可變衰減器以控制衰減，和至所述可控匹配網(wǎng)絡以控制輸出阻抗。

18.權(quán)利要求17所述的集成電路，其中第一控制電壓供應至所述電壓可變衰減器和所述可控匹配網(wǎng)絡。