[發(fā)明專利]一種電磁缺陷填充材料及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711342665.0 | 申請日： | 2017-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN108081704A | 公開（公告）日： | 2018-05-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王錦;危偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 航天科工武漢磁電有限責任公司 |
| 主分類號： | B32B15/06 | 分類號： | B32B15/06;B32B15/04;B32B25/04;B32B9/00;B32B9/04;C08L53/02;C08L91/06;C08K3/04;C08K3/08;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 李進 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熱塑性彈性體 缺陷填充 混合料 混煉膠 造粒 吸波材料 制備 阻抗匹配層 導電炭黑 反射損耗 雙層復合 吸收劑 混煉 常規(guī)材料 擠出成型 吸波性能 制備工藝 頻寬 | ||
1.一種電磁缺陷填充材料，其特征在于，所述電磁缺陷填充材料是由阻抗匹配層和反射損耗層組成的雙層復合吸波材料，所述阻抗匹配層的原料為包括熱塑性彈性體和導電炭黑的第一混合料；所述反射損耗層的原料為包括熱塑性彈性體和吸收劑的第二混合料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁缺陷填充材料，其特征在于，所述第一混合料和所述第二混合料均包括白油、液體石蠟和抗氧劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁缺陷填充材料，其特征在于，所述第一混合料按質(zhì)量份數(shù)計包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁缺陷填充材料，其特征在于，所述第二混合料按質(zhì)量份數(shù)計包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁缺陷填充材料，其特征在于，所述吸收劑包括鐵鎳合金粉、鐵鈷合金粉和鐵基合金粉中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁缺陷填充材料，其特征在于，所述熱塑性彈性體包括SBS、TPE和TPU中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁缺陷填充材料，其特征在于，所述電磁缺陷填充材料的總厚度為1.0～3.0mm，所述阻抗匹配層的厚度為0.5～1.0mm，所述反射損耗層的厚度為0.5～2.0mm。
8.一種由權(quán)利要求1所述的電磁缺陷填充材料的制備方法，其特征在于，其包括：
將包括所述熱塑性彈性體和所述導電炭黑的第一混合料進行混煉，得到第一混煉膠后造粒；
將包括所述熱塑性彈性體和所述吸收劑的第二混合料進行混煉，得到第二混煉膠后造粒；
以所述第一混煉膠造粒后所得的材料和所述第二混煉膠造粒后所得的材料為原料，擠出成型。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電磁缺陷填充材料的制備方法，其特征在于，所述擠出成型包括：
采用擠出成型工藝，利用所述第一混煉膠造粒后所得的材料形成所述阻抗匹配層，利用所述第二混煉膠造粒后所得的材料形成所述反射損耗層，再將所述阻抗匹配層與所述反射損耗層復合擠出成型。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電磁缺陷填充材料的制備方法，其特征在于，制備所述阻抗匹配層時，混煉溫度為120～140℃、造粒溫度為60～70℃；制備所述反射損耗層時，混煉溫度為130～150℃、造粒溫度為65～75℃。
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