[發明專利]一種鈷摻雜二硫化鉬原位電極及其制備方法有效
| 申請號： | 201711342109.3 | 申請日： | 2017-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN108046338B | 公開（公告）日： | 2019-10-25 |
| 發明（設計）人： | 黃妞;鄭方;孫小華;孫盼盼 | 申請（專利權）人： | 三峽大學 |
| 主分類號： | C01G51/00 | 分類號： | C01G51/00 |
| 代理公司： | 宜昌市三峽專利事務所 42103 | 代理人： | 成鋼 |
| 地址： | 443002*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 摻雜 二硫化鉬 原位 電極 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種鈷摻雜二硫化鉬原位電極的制備方法，其特征在于，具體制備方法如下：
（1）在室溫下，將氯化鉬溶于乙醇溶液中，再加入金屬鈷鹽，再加入硫脲，攪拌溶解，得到Co-Mo-S前軀液，金屬鈷鹽與氯化鉬的摩爾比為1: 9，氯化鉬的濃度為100~700 mM，金屬原子與硫脲的摩爾比為1：2~7；
（2）將上述前軀液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃快速干燥，得到前驅膜；
（3）將步驟二中前驅膜于氬氣或氮氣保護中經600℃燒結0.5~2 h，隨爐冷卻取出即可得到鈷摻雜二硫化鉬原位電極；
所述的鈷摻雜二硫化鉬原位電極為10at%的鈷均勻替代了鉬所形成的鈷摻雜二硫化鉬，鈷摻雜二硫化鉬的物相為2H型二硫化鉬，化學式為Co0.1Mo0.9S2，所述的鈷為納米顆粒狀。
2.根據權利要求1所述的鈷摻雜二硫化鉬原位電極的制備方法，其特征在于，所述的金屬鈷鹽為可溶于極性溶劑的鹽，包括硫酸鈷、氯化鈷、硝酸鈷、乙酸鈷、草酸鈷或碳酸氫鈷。
3.根據權利要求1所述的鈷摻雜二硫化鉬原位電極的制備方法，其特征在于，所述的步驟（2）中將上述前軀液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃于干燥空氣中自然干燥或于熱臺上干燥5-15min，得到前驅膜。
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