[發明專利]透明導電膜形成用靶材及其制造方法、透明導電膜及其制造方法

有效

• 申請號: 201711341245.0
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN108220893B
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 秀島正章
• 申請（專利權）人: JX金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08;H01B5/14
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

1.一種透明導電膜形成用靶材，包含In、Sn、Zn、O，Sn/(In+Sn+Zn)＝7～17at％，Zn/(In+Sn+Zn)＝0.5～12at％，Sn與Zn的原子數比即Sn/Zn為1.3以上，并且通過XRD測定得到的Sn₃In₄O₁₂結晶相相對于In₂O₃結晶相的峰強度比(Sn₃In₄O₁₂/In₂O₃)為0.10以下，相對密度為97％以上，所述透明導電膜形成用靶材的體積電阻為0.1～0.5mΩcm。

2.根據權利要求1所述的透明導電膜形成用靶材，其中，

所述透明導電膜形成用靶材的體積電阻為0.1～0.4mΩcm。

3.一種透明導電膜形成用靶材的制造方法，該方法包括：

將氧化銦、氧化錫和氧化鋅分別粉碎，之后進行混合使Sn/(In+Sn+Zn)＝7～17at％、Zn/(In+Sn+Zn)＝0.5～12at％、并且Sn與Zn的原子數比即Sn/Zn達到1.3以上，

將混合物在氧氣氣氛中、在1300～1600℃下燒成5～40小時，

從而得到包含In、Sn、Zn和O、且通過XRD測定得到的Sn₃In₄O₁₂結晶相相對于In₂O₃結晶相的峰強度比(Sn₃In₄O₁₂/In₂O₃)為0.10以下的透明導電膜形成用靶材。

4.一種透明導電膜的制造方法，該方法包括：濺鍍權利要求1或2所述的透明導電膜形成用靶材，以形成非晶質的透明導電膜。

5.一種透明導電膜的制造方法，該方法包括：蝕刻權利要求4所述的非晶質的透明導電膜，之后在結晶化溫度以上進行熱處理使其結晶化，從而形成結晶質的透明導電膜。