[發明專利]便于初始對準的高通量基因測序儀硅片及初始對準方法

有效

• 申請號: 201711340918.0
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN109957504B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 孫志遠;喬彥峰;朱瑋;苗亮
• 申請（專利權）人: 長春長光華大智造測序設備有限公司
• 主分類號: C12M1/34
• 分類號: C12M1/34
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 李小焦;彭家恩

1.一種便于初始對準的高通量基因測序儀硅片，其特征在于：包括硅片主體和設置在硅片主體上的四個金屬標記膜組，四個金屬標記膜組分別設置于Step1、Step2、Step3和Step4四個視場內；

其中，Step1、Step2和Step3三個視場在一條直線上，該直線為硅片Y軸或者與硅片Y軸平行，Step1視場位于Step2視場和Step3視場中間，并且，Step1視場在硅片中心附近，Step2視場位于硅片中心上方，Step3視場位于硅片中心下方；Step4視場為硅片正式掃描的起始視場；四個視場的坐標系分別與硅片的坐標系平行；

Step1視場內的金屬標記膜組由至少兩個金屬標記膜組成，一個金屬標記膜設置于視場中心點上，其它金屬標記膜分別設置于Step1視場的+Y方向和/或-Y方向距離視場中心點間距Q的位置處；Step2視場、Step3視場和Step4視場的金屬標記膜組都只是在各自的視場中心點上設置一個金屬標記膜。

2.根據權利要求1所述的高通量基因測序儀硅片，其特征在于：所述Step 1視場的左下角與硅片的中心重合。

3.根據權利要求1所述的高通量基因測序儀硅片，其特征在于：所述Step4視場在硅片最右端一列的最上方。

4.根據權利要求1所述的高通量基因測序儀硅片，其特征在于：所述金屬標記膜組中，各金屬標記膜的理論成像大小為n×n個像元。

5.根據權利要求4所述的高通量基因測序儀硅片，其特征在于：所述金屬標記膜組中，各金屬標記膜保留n×n個像元區域以外、(n+4)×(n+4)個像元區域以內的空間作為金屬標記膜的彌散區域。

6.根據權利要求4所述的高通量基因測序儀硅片，其特征在于：n的取值范圍為大于等于3。

7.根據權利要求4所述的高通量基因測序儀硅片，其特征在于：n等于5。

8.一種基于權利要求1-7任一項所述的高通量基因測序儀硅片的初始對準方法，其特征在于：包括以下步驟，

步驟一：調整工件臺，使物鏡對準Step 1視場，在Step 1視場內觀測其金屬標記膜的彌散斑，通過對金屬標記膜的光斑進行細分，計算金屬標記膜相對于Step 1視場中心點在X和Y向上的偏差量，根據該偏差量對高通量基因測序儀硅片進行平移誤差粗校準和角度誤差粗校準；

步驟二：調整工件臺，使成像視場從Step 1視場移動到Step 2視場，解算并記錄金屬標記膜在X和Y向上相對于Step 2視場中心點的偏移量；

步驟三：調整工件臺，使成像視場從Step 2視場移動到Step 3視場，解算并記錄金屬標記膜在X和Y向上相對于Step 3視場中心點的偏移量；

步驟四：根據步驟二和步驟三獲取的偏移數據對硅片進行角度誤差精校準；

步驟五：調整工件臺，使成像視場從Step 3視場移動到Step 4視場，解算并記錄金屬標記膜相對于Step 4視場中心點的偏移量，并根據該偏移量進行平移誤差精校準。