[發明專利]整流器裝置及其操作方法

有效

• 申請號: 201711340062.7
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN108233742B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 阿爾比諾·皮杜蒂;達米亞諾·加德勒;赫伯特·吉特勒;亞武茲·克勒奇;邁克爾·倫茲;揚尼斯·帕赫尼斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H02M7/217
• 分類號: H02M7/217;H02M7/00;H02H7/125
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 康建峰;韓雪梅

1.一種整流器裝置，包括：

陽極端子和陰極端子，所述陽極端子和所述陰極端子通過第一MOS晶體管的負載電流路徑以及并聯連接至所述負載電流路徑的二極管來連接；在所述陽極端子與所述陰極端子之間可操作地施加交流輸入電壓；以及

控制電路，包括：

控制邏輯，所述控制邏輯被配置成:

使所述第一MOS晶體管在導通時間段內導通，在所述導通時間段期間所述二極管被正向偏置，

通過檢測所述二極管兩端的電壓已經達到限定的第一閾值電壓的第一時刻，來檢測所述導通時間段的開始，

通過檢測在所述第一MOS晶體管的負載電流路徑兩端的電壓降已經達到限定的第二閾值電壓的第二時刻，來檢測所述導通時間段的結束，和

在限定的掩蔽時間段內掩蔽掉對所述第二時刻的任何檢測；以及

安全電路，所述安全電路被配置成在所述交流輸入電壓達到安全閾值時觸發所述第一MOS晶體管的關斷。

2.根據權利要求1所述的整流器裝置，

其中，所述陽極端子處的電勢用作所述控制邏輯的參考電勢。

3.根據權利要求1所述的整流器裝置，

其中，所述陽極端子處的電勢用作所述控制邏輯和所述安全電路的參考電勢，并且

其中，所述安全閾值表示相對于所述參考電勢為正的電壓電平。

4.根據權利要求1所述的整流器裝置，

其中，所述安全閾值是可編程的。

5.根據權利要求1所述的整流器裝置，

其中，所述控制邏輯被配置成通過檢測所述二極管已經變得導通來檢測所述導通時間段的開始。

6.根據權利要求1所述的整流器裝置，

其中，所述陽極端子處的電勢用作所述控制邏輯的參考電勢，并且

其中，所述控制邏輯被配置成在所述交流輸入電壓下降至所述第一閾值電壓以下時檢測所述導通時間段的開始，所述第一閾值電壓相對于所述參考電勢為負。

7.根據權利要求1所述的整流器裝置，其中，所述第二閾值電壓比所述第一閾值電壓更接近零。

8.根據權利要求1所述的整流器裝置，

其中，所述陽極端子處的電勢用作所述控制邏輯的參考電勢，

其中，所述控制邏輯被配置成：

在所述交流輸入電壓下降至相對于所述參考電勢為負的所述第一閾值電壓以下時檢測所述導通時間段的開始；并且

在所述交流輸入電壓達到相對于所述參考電勢也為負的第二閾值電壓時檢測所述導通時間段的結束。

9.根據權利要求1所述的整流器裝置，還包括：

至少第二MOS晶體管，所述第二MOS晶體管具有并聯連接至所述第一MOS晶體管的負載電流路徑的負載電流路徑。

10.根據權利要求9所述的整流器裝置，

其中，所述控制邏輯被配置成使所述第一MOS晶體管和所述第二MOS晶體管相繼導通或同時導通。

11.根據權利要求9所述的整流器裝置，

其中，所述控制邏輯被配置成使所述第二MOS晶體管比所述第一MOS晶體管更遲地關斷。

12.根據權利要求11所述的整流器裝置，

其中，所述控制邏輯被配置成通過檢測所述陰極端子與所述陽極端子之間的電壓已經達到限定的第二閾值電壓來檢測所述導通時間段的結束，并且

其中，在所述第一MOS晶體管已經被關斷之后，在檢測到所述陰極端子與所述陽極端子之間的電壓已經達到限定的第三閾值電壓時所述第二MOS晶體管被關斷。

13.根據權利要求12所述的整流器裝置，

其中，所述第三閾值電壓比所述第二閾值電壓更接近零。