[發(fā)明專利]一種親水性形狀記憶環(huán)氧樹脂及其微陣列的制備方法及微陣列親水性調(diào)控的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711339028.8
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN107840941B
• 公開（公告）日: 2020-03-13
• 發(fā)明（設計）人: 成中軍;張東杰;劉宇艷;錢藝豪;余松吉;萬鈞君
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學
• 主分類號: C08G59/50
• 分類號: C08G59/50;C08J5/00
• 代理公司: 哈爾濱龍科專利代理有限公司 23206
• 代理人: 高媛

1.一種親水性形狀記憶環(huán)氧樹脂微陣列的制備方法，其特征在于：所述方法具體步驟如下：

步驟一：使用光刻法對硅片進行刻蝕，使硅片表面呈現(xiàn)出不同的陣列，刻蝕的硅片的陣列長寬為10μm×10μm，陣列間距為5μm~30μm，陣列高度為10~30μm；

步驟二：利用聚二甲基硅氧烷對硅片進行賦形，聚二甲基硅氧烷與固化劑的重量比為90~150：10，固化溫度為65-100℃，固化后脫模，得到與硅片陣列相反的聚二甲基硅氧烷模板；

步驟三：利用聚二甲基硅氧烷模板進行形狀記憶環(huán)氧樹脂陣列的賦形，使用環(huán)氧樹脂、固化劑和親水改性劑，并按照100：20-40：20-40的重量比混合，攪拌均勻；

步驟四：將步驟三得到的混合物倒入PDMS模板中進行固化，在60-120℃之間固化10-24h，脫模，得到親水性形狀記憶環(huán)氧樹脂微陣列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種親水性形狀記憶環(huán)氧樹脂微陣列的制備方法，其特征在于：步驟三中，所述的環(huán)氧樹脂為環(huán)氧樹脂E51、環(huán)氧樹脂E44、環(huán)氧樹脂TDE85；所述的親水改性劑為PEG400、PEG800、PEG1000、吐溫20、吐溫40、吐溫60、吐溫65、吐溫80、吐溫85、司班60或司班80中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種親水性形狀記憶環(huán)氧樹脂微陣列的制備方法，其特征在于：步驟二和步驟三中，所述的固化劑為間苯二甲胺。

4.一種利用權(quán)利要求1制備的親水性形狀記憶環(huán)氧樹脂微陣列進行親水性調(diào)控的方法，其特征在于：所述的方法為利用制備的環(huán)氧樹脂微陣列進行表面浸潤性的調(diào)控：當環(huán)氧樹脂微陣列處于原始的直立狀態(tài)時，表面呈現(xiàn)超親水狀態(tài)，當環(huán)氧樹脂微陣列被壓倒，表面呈現(xiàn)為親水狀態(tài)，從而實現(xiàn)了表面從超親水到親水的浸潤狀態(tài)的轉(zhuǎn)變。