[發明專利]一種低功耗信號能量指示電路

在審

• 申請號: 201711338683.1
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN107991524A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 夏冰
• 申請（專利權）人: 上海瑋舟微電子科技有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種低功耗信號能量指示電路，其特征在于，該電路包括：跨導級電路、全波整流器和低通濾波電路；其中，

所述跨導級電路，用于將待檢測的第一電壓信號和第二電壓信號轉換成第一電流信號和第二電流信號；

所述全波整流器，用于將所述第一電流信號和所述第二電流信號進行求和生成第三電流信號，并將所述第三電流信號進行放大生成第四電流信號，向所述低通濾波電路輸出所述第四電流信號；

所述低通濾波電路，用于對所述第四電流信號進行低通濾波處理，并通過濾波電容生成目標電壓信號。

2.根據權利要求1所述的低功耗信號能量指示電路，其特征在于，所述跨導級電路采用折疊級聯運算跨導放大電路。

3.根據權利要求1所述的低功耗信號能量指示電路，其特征在于，所述跨導級電路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管；其中，所述第一NMOS管的柵極為所述第一電壓信號的輸入端，所述第一NMOS管的漏極與所述第三PMOS管的漏極相連，所述第一NMOS管的源極與所述第二NMOS管的漏極相連；所述第二NMOS管的源極接地；所述第三PMOS管的漏極依次與所述第四PMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管串聯連接，其中，所述第三PMOS管的源極接電源端，所述第四PMOS管的漏極為所述第一電流信號的輸出端，所述第六NMOS管的源極接地。

4.根據權利要求1所述的低功耗信號能量指示電路，其特征在于，所述跨導級電路還包括：第七NMOS管、第八NMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一NMOS管和第十二NMOS管；其中，所述第七NMOS管的柵極為所述第二電壓信號的輸入端，所述第七NMOS管的漏極與所述第九PMOS管的漏極相連，所述第七NMOS管的源極與所述第八NMOS管的漏極相連；所述第八NMOS管的源極接地；所述第九PMOS管的漏極依次與所述第十PMOS管、第十一NMOS管和第十二NMOS管串聯連接，其中，所述第九PMOS管的源極接電源端，所述第十PMOS管的漏極為所述第二電流信號的輸出端，所述第十二NMOS管的源極接地。

5.根據權利要求1所述的低功耗信號能量指示電路，其特征在于，所述跨導級電路還包括：第一電阻；其中，所述第一電阻一端與所述第一NMOS管的源極相連，另一端與所述第二NMOS管的源極相連。

6.根據權利要求5所述的低功耗信號能量指示電路，其特征在于，所述第一電阻用于抑制所述跨導級電路的交調失真，提高所述跨導級電路的線性度。

7.根據權利要求1所述的低功耗信號能量指示電路，其特征在于，所述全波整流器包括：第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管和第十六NMOS管；其中，所述第十三NMOS管的柵極與漏極相連，且與所述第十四NMOS管的源極相連，作為第一電流信號的輸入端，所述第十三NMOS管的源極接偏置電壓信號；所述第十五NMOS管的柵極與漏極相連，且與所述第十六NMOS管的源極相連，作為第二電流信號的輸入端，所述第十五NMOS管的源極接所述偏置電壓信號；所述第十四NMOS管的源極與所述第十六NMOS管的源極相連，作為第三電流信號的輸出端。

8.根據權利要求1所述的低功耗信號能量指示電路，其特征在于，所述全波整流器還包括：第十七PMOS管和第十八PMOS管；其中，所述第十七PMOS管的柵極與所述第十八PMOS管的柵極相連，并與所述第十四NMOS管的源極相連，所述第十七PMOS管的漏極與所述第十八PMOS管的漏極分別與電源端相連；所述第十八PMOS管的源極為第四電流信號的輸出端；所述第十七PMOS管的柵極為第三電流信號的輸入端。

9.根據權利要求8所述的低功耗信號能量指示電路，其特征在于，所述第十七PMOS管和第十八PMOS管用于將第三電流信號放大，生成第四電流信號并向所述低通濾波電路輸出。

10.根據權利要求1所述的低功耗信號能量指示電路，其特征在于，所述低通濾波電路包括：第二電阻和第一電容；其中，所述第二電阻和所述第一電容并聯后一端接地，另一端為第四電流信號的輸入端，與所述第十八PMOS管的源極相連。