[發明專利]機器學習裝置和方法、壽命預測裝置、數值控制裝置有效
| 申請號: | 201711338643.7 | 申請日: | 2017-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN108228371B | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發明(設計)人: | 菊池和哉 | 申請(專利權)人: | 發那科株式會社 |
| 主分類號: | G06F11/00 | 分類號: | G06F11/00;G06F11/10;G06N3/08 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 曾賢偉;范勝杰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 機器 學習 裝置 方法 壽命 預測 數值 控制 | ||
本發明提供機器學習裝置和方法、壽命預測裝置、數值控制裝置。學習設置于數值控制裝置中的NAND閃存的預測壽命的機器學習裝置(1)具有:狀態觀測部(11),其對根據以下信息中的至少一個而取得的狀態變量進行觀測:NAND閃存的重寫次數、重寫間隔、讀出次數、使用環境的溫度、錯誤率、該NAND閃存的與制造商有關的信息和與制造批次有關的信息、以及對NAND閃存進行糾錯編碼ECC處理的存儲控制器的與ECC性能有關的信息、該存儲控制器的與制造商有關的信息和與制造批次有關;學習部(12),其根據訓練數據和教師數據學習NAND閃存的預測壽命,其中,所述訓練數據是根據狀態觀測部(11)的輸出和NAND閃存的壽命相關聯的數據而制作的。
技術領域
本發明涉及預測NAND閃存的壽命的機器學習裝置、壽命預測裝置、數值控制裝置、以及生產系統。
背景技術
在機床的數值控制(Numerical Control:NC)裝置中,為了存儲各種數據和加工程序而設置有多個NAND閃存(flash memory)。另外,在本說明書中,在數值控制裝置(NC裝置)中還包含計算機數值控制(Computerized Numerical Control:CNC)裝置。
在NAND閃存中,隨著由信息的刪除以及寫入構成的重寫動作的次數增加,保存數據發生反轉的比特錯誤(bit error)發生量也增加。對于產生的比特錯誤來說可以通過進行糾錯編碼(ECC:Error Correction Coding或者Error Check and Correct)處理來進行某種程度的糾正。針對NAND閃存的ECC處理通過與NAND閃存相連接的控制器來進行。對于進行ECC處理的控制器來說,在本公開中為了與后述的單元控制器(cell controller)進行區分而稱為“存儲控制器”(memory controller)。存儲控制器進行的ECC處理的糾正能力有限,最終達到使用壽命。此外,除了NAND閃存的重寫次數以及重寫的間隔以外,NAND閃存的讀出次數和使用環境的溫度也對壽命造成影響。此外,壽命還因NAND閃存的制造商和制造批次而不同。此外,ECC處理的糾正能力也對NAND閃存的壽命造成影響。此外,根據NAND閃存與對該NAND閃存進行ECC處理的控制器的組合如何,NAND閃存的壽命也發生變化。
例如日本特開2009-003843號公報所記載那樣,已知有閃存ROM的數據管理裝置,其對存儲于閃存ROM的數據進行管理,該閃存ROM被用作車載設備的數據保持用設備,該數據管理裝置具有:時間預測單元,其根據閃存ROM的設備特性和/或使用狀況,預測存儲于該ROM的數據的能夠保持時間;再寫入單元,其在能夠保持時間經過之前,進行存儲于閃存ROM的數據的再寫入。
還例如日本特開2009-230660號公報所記載那樣,已知有使維護人員明確知曉更換閃存這樣的技術。
再例如日本特開2014-517970號公報所記載那樣,已知有如下技術:預測閃存的錯誤率,向糾錯算法提供錯誤預測。
發明內容
設置于機床的數值控制裝置中的NAND閃存的壽命,因重寫次數、重寫間隔、讀出次數、使用環境的溫度、制造商、制造批次、ECC糾正能力等而發生變化,因此,難以準確地進行預測。如果不能準確地預測設置于數值控制裝置中的NAND閃存的壽命,則可能失去更換NAND閃存的最佳時機。例如,若繼續使用已到壽命的(或者產生由已到壽命導致故障的)NAND閃存,則有可能造成機床以及包含該機床的生產線停止,或由機床制造的產品產生不良,或產生嚴重事故。再例如在預測出的NAND閃存的壽命比實際壽命短(早)時,不必要地過早更換了還有壽命的NAND閃存,這樣不經濟。因此,希望能夠準確地掌握設置于機床的數值控制裝置中的NAND閃存的壽命,能夠可靠且容易地判斷是否到壽命。
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