[發(fā)明專利]光電路交換機反射鏡陣列裂紋防護

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711338639.0
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN108345105B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 凱文·Y·亞蘇穆拉
• 申請（專利權(quán)）人: 谷歌有限責任公司
• 主分類號: G02B26/08
• 分類號: G02B26/08
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 周亞榮;安翔

1.一種MEMS反射鏡組件，包括：

反射鏡襯底，所述反射鏡襯底限定致動器、萬向架結(jié)構(gòu)、以及反射鏡切口的部分，所述反射鏡切口具有內(nèi)周邊；

具有反射表面的反射鏡，所述反射鏡位于所述反射鏡襯底的所述反射鏡切口之內(nèi)并通過至少一個定子與所述反射鏡襯底相耦合，其中：

所述反射鏡由所述萬向架結(jié)構(gòu)支撐，

所述反射鏡具有限定所述反射鏡的主反射平面的平的表面，

當所述反射鏡的所述主反射平面與所述反射鏡襯底平行時，所述反射鏡的周邊與所述反射鏡切口的所述內(nèi)周邊除了在所述至少一個定子處之外圍繞整個所述反射鏡的整個周邊隔開一間隙，

除了在所述至少一個定子處以及在被限定在所述反射鏡襯底和所述反射鏡中的至少一個中的多個截口處之外，所述間隙的大小圍繞所述反射鏡的周邊是恒定的，其中，每個截口包括在所述反射鏡襯底和所述反射鏡之間的所述間隙向所述反射鏡襯底或所述反射鏡之中的延伸，并且每個截口具有介于50微米至200微米之間的長度以及介于50微米至100微米之間的寬度，并且其中，至少一個截口被限定在所述萬向架結(jié)構(gòu)中并包括所述間隙向所述萬向架結(jié)構(gòu)之中的延伸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS反射鏡組件，其中，至少一個截口在所述反射鏡中被限定為與所述至少一個定子緊鄰并包括所述間隙向所述反射鏡之中的延伸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS反射鏡組件，其中，至少一個截口被限定在所述反射鏡中并包括所述間隙向所述反射鏡之中的延伸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS反射鏡組件，其中，至少一個截口被限定在所述反射鏡襯底和所述反射鏡中并包括所述間隙向所述反射鏡襯底和所述反射鏡之中的延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS反射鏡組件，其中，所述截口的形狀為橢圓形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS反射鏡組件，其中，所述截口在與所述反射鏡的周邊相切的方向上的長度與所述反射鏡襯底的厚度之比小于或等于4:1，并且所述截口在所述反射鏡的徑向尺寸上的寬度與所述反射鏡襯底的厚度之比介于1：1與2：1之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS反射鏡組件，其中，所述截口圍繞所述反射鏡的周邊被限定并且所述至少一個定子中的每一個與至少一個截口緊鄰。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MEMS反射鏡組件，其中，所述截口被以90度的間隔圍繞所述反射鏡的周邊被限定。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MEMS反射鏡組件，其中，所述截口被以60度的間隔圍繞所述反射鏡的周邊被限定。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS反射鏡組件，其中，所述反射鏡襯底包括上硅層和下硅層，并且所述截口的大小被確定為使得它們大于穿過所述MEMS反射鏡組件的上硅層和下硅層而限定的最小開口。

11.一種用于制造MEMS反射鏡組件的方法，包括：

在基板襯底中限定腔；

使反射鏡襯底與所述基板襯底相耦合以使得所述反射鏡襯底的第一側(cè)面向所述基板襯底中的所述腔；

在所述反射鏡襯底中限定MEMS致動器、萬向架結(jié)構(gòu)、以及MEMS反射鏡的部分以使得所述MEMS反射鏡的第一側(cè)面向所述基板襯底中的所述腔并且所述反射鏡襯底的一部分與所述反射鏡隔開一間隙并且在所述反射鏡襯底和所述反射鏡中的至少一個中限定一個或多個截口，其中，每個所述截口包括在所述反射鏡襯底和所述反射鏡之間的所述間隙向所述反射鏡襯底或所述反射鏡之中的延伸，并且每個截口具有介于50微米至200微米之間的長度以及介于50微米至100微米之間的寬度，并且其中，至少一個截口被限定在所述反射鏡襯底和所述反射鏡中并且包括所述間隙向所述萬向架結(jié)構(gòu)和所述反射鏡之中的延伸；以及

在與所述MEMS反射鏡的第一側(cè)相對的所述MEMS反射鏡的第二側(cè)上布置反射材料。