[發明專利]半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201711338622.5
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN108206141A
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 佐藤海晴;畑佐啟太;奧村知巳
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/607
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 高培培;車文

1.一種半導體裝置的制造方法，其中，

所述半導體裝置具備：

半導體元件；

第一導電性構件，接合于所述半導體元件的下表面；

第二導電性構件，經由導電性襯墊接合于所述半導體元件的上表面；及

銅制的接合線，接合于所述半導體元件的所述上表面，

所述制造方法包括：

準備第一半成品的工序，在該第一半成品中，所述導電性襯墊的上表面釬焊于所述第二導電性構件，并且在所述導電性襯墊的下表面設置有預備焊料；

準備第二半成品的工序，在該第二半成品中，所述半導體元件的所述下表面釬焊于所述第一導電性構件，并且在所述半導體元件的所述上表面接合有所述接合線；及

使所述第一半成品的預備焊料熔融而將所述第二半成品的所述半導體元件的所述上表面釬焊于所述第一半成品的所述導電性襯墊的所述下表面的工序。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，

在所述導電性襯墊上沿著所述下表面的周緣設置有凹部。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，

準備所述第一半成品的工序包括在所述導電性襯墊位于所述第二導電性構件的鉛垂上方的狀態下將所述導電性襯墊釬焊于所述第二導電性構件的工序。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，

準備所述第二半成品的工序包括將所述半導體元件的所述下表面釬焊于所述第一導電性構件的工序和將所述接合線接合到釬焊于所述第一導電性構件的所述半導體元件的所述上表面的工序。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，

將所述接合線接合的工序包括對釬焊于所述第一導電性構件的所述半導體元件進行加熱的工序和利用超聲波接合法將所述接合線接合到加熱后的所述半導體元件的所述上表面的工序。