[發明專利]一種紅外探測器及其制造方法

有效

• 申請號: 201711337658.1
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN108565310B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 康曉旭;李銘
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L31/09
• 分類號: H01L31/09;H01L31/18;H01L27/02
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

1.一種MEMS紅外探測器，其特征在于，所述紅外探測器包括：

像元陣列區；

非像元區，環繞所述像元陣列區；

光刻shot間隔區，環繞所述像元陣列區、設置于所述像元陣列區和所述非像元區之間，所述光刻shot間隔區包括：

多個電連接區，所述電連接區包括第一金屬連接層以及設置于所述第一金屬連接層入光側的第一反射連接層，其中，位于所述電連接區兩側的所述像元陣列區和所述非像元區之間通過所述第一金屬連接層和所述第一反射連接層電連接；所述電連接區包括連接多個所述像元的多個所述第一反射連接層，每個第一反射連接層包括位于所述電連接區內的主體部和分別向兩側的所述像元陣列區和所述非像元區延伸的延伸部，所述主體部包括一重疊區域和兩側的非重疊區域；

多個光刻圖形放置區，設置于多個所述電連接區之間。

2.如權利要求1所述的紅外探測器，其特征在于，所述像元陣列區呈矩形，所述紅外探測器包括環繞所述像元陣列區設置的八個非像元區、八個所述非像元區與所述像元陣列區之間呈九宮格狀排列；

所述光刻shot間隔區呈矩形環繞所述像元陣列區，所述光刻shot間隔區包括四個電連接區和四個光刻圖形放置區，其中，四個所述電連接區設置于所述光刻shot間隔區的四條側邊，四個所述光刻圖形放置區設置于所述光刻shot間隔區的四個角落，位于所述像元陣列區上側、下側、左側和右側的四個非像元區分別通過四個所述電連接區與所述像元陣列區電連接。

3.如權利要求2所述的紅外探測器，其特征在于，所述像元陣列區包括多個像元，每個所述像元包括多個不連續的反射層，沿行方向或列方向上兩個相鄰的所述像元包括至少一對相互對應的所述反射層；

所述像元陣列區還包括第二反射連接層，所述第二反射連接層沿行方向或沿列方向電連接一對相互對應的所述反射層。

4.如權利要求3所述的紅外探測器，其特征在于，所述紅外探測器包括驅動模塊，所述驅動模塊設置于所述像元陣列區的上側、下側、左側或者右側的任一個所述非像元區中；

當所述驅動模塊設置于所述像元陣列區的左側或右側的一個所述非像元區時，多個所述像元之間均沿行方向通過所述第二反射連接層電連接，且靠近所述驅動模塊的所述像元與所述驅動模塊之間通過沿行方向延伸的所述第一反射連接層電連接；

當所述驅動模塊設置于所述像元陣列區的上側或下側的一個所述非像元區中時，多個所述像元之間均沿列方向通過所述第二反射連接層電連接，且靠近所述驅動模塊的所述像元與所述驅動模塊之間通過沿列方向延伸的所述第一反射連接層電連接。

5.如權利要求1所述的紅外探測器，其特征在于，在距離所述電連接區第一距離內的所述延伸部的寬度為所述主體部的寬度的二分之一。

6.如權利要求5所述的紅外探測器，其特征在于，所述重疊區域的厚度為所述非重疊區的厚度的兩倍。

7.如權利要求5所述的紅外探測器，其特征在于，相鄰的兩個所述延伸部之間的間距為所述延伸部寬度的3倍；所述電連接區內的兩個相鄰的所述主體部之間的間距與每個所述主體部的寬度相等。

8.如權利要求1至7之一所述的紅外探測器，其特征在于，所述紅外探測器包括呈矩陣排列的多個所述像元陣列區，每個所述像元陣列區的周圍包括環繞其設置的八個所述非像元區。