[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201711337489.1
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN108206185B
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 金藝蘭;李垣哲
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L23/64
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

設置在所述襯底上的多個下電極，其中所述多個下電極中的各下電極在第一方向和交叉所述第一方向的第二方向上重復地布置；以及

第一電極支撐件，其接觸所述下電極中的至少一個的側壁以支撐所述下電極中的所述至少一個，

其中所述第一電極支撐件包括第一支撐區域和設置在所述第一支撐區域的邊界處的第二支撐區域，其中所述第一支撐區域包括第一開口，

其中所述第一電極支撐件的外側壁包括在所述第一方向上延伸的第一側壁、在所述第二方向上延伸的第二側壁以及連接所述第一側壁與所述第二側壁的連接側壁，

其中所述第二支撐區域包括所述連接側壁，以及

其中，在所述第二支撐區域的第一部分中，所述第二支撐區域的所述第一部分的寬度在遠離所述第一支撐區域的方向上減小。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述下電極中的至少一個與所述第二支撐區域接觸。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述下電極包括在所述第一方向上布置的下電極的行，以及

其中所述下電極的所述行中的分別設置在所述下電極的所述行的彼此相反端處的第一下電極和第二下電極與所述第二支撐區域接觸。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括設置在所述襯底與所述第一電極支撐件之間的第二電極支撐件，

其中所述第二電極支撐件與所述下電極中的所述至少一個的所述側壁接觸以支撐所述下電極中的所述至少一個，其中所述第二電極支撐件的外側壁具有與所述第一電極支撐件的所述外側壁的形狀對應的形狀。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中所述第二電極支撐件包括第三支撐區域和設置在所述第三支撐區域的邊界處的第四支撐區域，其中所述第三支撐區域包括第二開口。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述第一開口和所述第二開口彼此交疊。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一電極支撐件的上表面的對應于所述連接側壁的第一邊界在第三方向上延伸，其中所述第三方向交叉所述第一方向和所述第二方向。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述下電極中的一對相鄰下電極彼此間隔開第一距離，

其中所述第一電極支撐件的所述上表面的所述第一邊界與所述下電極中的最鄰近于所述第一電極支撐件的所述上表面的所述第一邊界設置的下電極間隔開第二距離，以及

其中所述第一距離和所述第二距離基本上彼此相等。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述連接側壁在所述第一方向或所述第二方向中的至少一個上交疊所述下電極。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一電極支撐件的上表面的對應于所述連接側壁的第一邊界具有Z字形形狀。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一電極支撐件的上表面的對應于所述連接側壁的第一邊界具有波浪形狀。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一支撐區域包括多個所述第一開口，

其中所述下電極中的與所述第一支撐區域接觸的第一下電極被所述第一開口中的不超過一個第一開口暴露。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述下電極的最上表面與所述第一電極支撐件的上表面齊平。

14.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述下電極中的至少一個相對于所述襯底的第一表面突出得高于所述第一電極支撐件的上表面。