[發明專利]一種提高PCVD工藝沉積均勻性的方法

在審

• 申請號: 201711337234.5
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN108046583A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 張欣;胡肖;朱繼紅;汪洪海
• 申請（專利權）人: 長飛光纖光纜股份有限公司
• 主分類號: C03B37/018
• 分類號: C03B37/018
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 胡建平

1.一種提高PCVD工藝沉積均勻性的方法，將純二氧化硅玻璃襯管的兩端分別焊接氣端延長管和泵端延長管，將焊接后的玻璃襯管裝夾到PCVD車床上，玻璃襯管穿過微波諧振腔且玻璃襯管的沉積段位于保溫爐爐膛內，玻璃襯管的兩端分別與氣端旋轉夾頭和泵端旋轉夾頭密封相連，旋轉夾頭帶動玻璃襯管旋轉，保溫爐開始加溫至設定的溫度值，PCVD沉積開始，其特征在于在氣端旋轉夾頭與保溫爐氣端爐口之間的氣端延長管上增設一段預熱管段，所述的預熱管段近保溫爐爐口，對應預熱管段設置加溫裝置，通過加溫裝置對經過預熱管段進入玻璃襯管沉積段的反應氣體進行預熱，預熱后的反應氣體進入玻璃襯管的沉積段參與沉積反應，直至沉積完畢。

2.按權利要求1所述的提高PCVD工藝沉積均勻性的方法，其特征在于所述的加溫裝置為電熱加溫裝置，包括電熱絲加溫裝置、碳棒加溫裝置或者紅外加溫裝置。

3.按權利要求1或2所述的提高PCVD工藝沉積均勻性的方法，其特征在于所述的加溫裝置為套裝加溫裝置或C型開口加溫裝置。

4.按權利要求1或2所述的提高PCVD工藝沉積均勻性的方法，其特征在于所述的加溫裝置的加溫溫度為900~1200℃。

5.按權利要求1或2所述的提高PCVD工藝沉積均勻性的方法，其特征在于所述加溫裝置的軸向長度L為100~500mm，內腔與玻璃襯管預熱管段外徑相配置。

6.按權利要求5所述的提高PCVD工藝沉積均勻性的方法，其特征在于所述加溫裝置的一側端口與氣端旋轉夾頭的間隔距H大于或等于150mm。

7.按權利要求1或2所述的提高PCVD工藝沉積均勻性的方法，其特征在于所述的加溫裝置與溫度控制器PID相聯。

8.按權利要求1或2所述的提高PCVD工藝沉積均勻性的方法，其特征在于所述的預熱管段長度與加溫裝置的軸向長度相同或相近，所述的預熱管段與氣端延長管相連成一體，或為氣端延長管的延伸。

9.按權利要求1或2所述的提高PCVD工藝沉積均勻性的方法，其特征在于所述的氣端延長管和預熱管段均由純石英玻璃管構成，SiO2含量大于99.0%。

10.按權利要求1或2所述的提高PCVD工藝沉積均勻性的方法，其特征在于沉積時保溫爐內氣端爐溫為985~990℃，中間爐溫為970~980℃，泵端爐溫為1000~1010℃。