[發(fā)明專利]薄膜晶體管的制作方法及薄膜晶體管

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711337019.5
• 申請(qǐng)日: 2017-12-14
• 公開（公告）號(hào): CN108091572A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 翟玉浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，在所述基板上形成有源層；

在所述有源層上沉積阻隔層；

在所述阻隔層上依次形成柵極絕緣層和第一金屬層，刻蝕所述第一金屬層形成柵極，所述有源層包括與所述柵極在所述基板的垂直投影錯(cuò)開的第一部分；

對(duì)有源層進(jìn)行離子注入，所述第一部分形成源極區(qū)和漏極區(qū)；

沉積絕緣層覆蓋所述柵極及所述有源層，在所述絕緣層上形成源極和漏極，所述源極電連接至所述源極區(qū)，所述漏極電連接至所述漏極區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述有源層上沉積所述阻隔層后，所述方法還包括，刻蝕所述阻隔層，所述阻隔層形成分隔的第一阻隔段和第二阻隔段，所述柵極絕緣層形成于所述第一阻隔段上、所述第二阻隔段上，以及所述第一阻隔段與所述第二阻隔段之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，刻蝕所述阻隔層的過(guò)程中，還刻蝕所述有源層，在所述有源層上形成凹坑，所述凹坑正對(duì)所述第一阻隔段與所述第二阻隔段的間隙，所述柵極絕緣層部分填充于所述凹坑內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成有源層的過(guò)程包括，在所述基板上沉積非晶硅層，并結(jié)晶化處理所述非晶硅層形成低溫多晶硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，結(jié)晶化處理所述非晶硅層的方式為固相晶化法或金屬橫向誘導(dǎo)或準(zhǔn)分子激光退火。

6.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

基板和有源層，所述有源層位于所述基板上，所述有源層包括源極區(qū)、漏極區(qū)及連接于所述源極區(qū)與所述漏極區(qū)之間的通道；

阻隔層，位于所述有源層上，所述阻隔層在所述基板上的垂直投影落在所述通道的范圍內(nèi)；

柵極絕緣層和柵極，依次層疊設(shè)置于所述阻隔層上，所述柵極在所述基板上的垂直投影與所述通道重合；

絕緣層，覆蓋所述柵極及所述有源層；

源極和漏極，位于所述絕緣層上，所述源極電連接至所述源極區(qū)，所述漏極電連接至所述漏極區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述阻隔層包括相互分隔的第一阻隔段和第二阻隔段，所述柵極絕緣層為于所述第一阻隔段上、所述第二阻隔段上，以及所述第一阻隔段與所述第二阻隔段之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層上還設(shè)有凹坑，所述凹坑正對(duì)所述第一阻隔段與所述第二阻隔段的間隙，所述柵極絕緣層部分填充于所述凹坑內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述凹坑的深度為100～1000埃米。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述阻隔層的厚度為1000～4000埃米。