[發明專利]一種帶自動調節負載電阻的調制電路

有效

• 申請號: 201711336121.3
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN109962723B
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 孫志亮;朱永成;霍俊杰;況立雪;豆玉嬌
• 申請（專利權）人: 紫光同芯微電子有限公司
• 主分類號: H04B5/00
• 分類號: H04B5/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種帶自動調節負載電阻的調制電路，其特征在于，所述調制電路包括電磁感應耦合電路、整流電路、限幅電路和自調節電路，其中，電磁感應耦合電路包括第一電感器、第二電感器和第一電容器，第一電感器的兩端連接交流功率電源，第二電感器的一端連接第一電容器的一端，第二電感器的另一端與第一電容器的另一端相連接，第二電感器與第一電感器通過互感系數相連接；

整流電路包括第二電容器、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第三NMOS晶體管和第四NMOS晶體管，第一NMOS晶體管的源端、第二NMOS晶體管的源端與第二電容器的一端相連接并接地GND，第一NMOS晶體管的柵端、第二NMOS晶體管的漏端、第三NMOS晶體管的柵端、第三NMOS晶體管的漏端與電磁感應耦合電路中的第二電感器的一端相連接，第二NMOS晶體管的柵端、第一NMOS晶體管的漏端、第四NMOS晶體管的柵端、第四NMOS晶體管的漏端與電磁感應耦合電路中的第二電感器的另一端相連接，第三NMOS晶體管的源端、第四NMOS晶體管的源端與第二電容器的另一端相連接并作為整流電路輸出端VCC；

限幅電路包括第五NMOS晶體管、第六NMOS晶體管、第七NMOS晶體管、第八NMOS晶體管、第九NMOS晶體管、第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第三PMOS晶體管和第四PMOS晶體管，第五NMOS晶體管的柵端、第五NMOS晶體管的漏端、第七NMOS晶體管的柵端、第七NMOS晶體管的漏端與第二電感器的一端相連接，第六NMOS晶體管的柵端、第六NMOS晶體管的漏端、第八NMOS晶體管的柵端、第八NMOS晶體管的漏端與第二電感器的另一端相連接，第五NMOS晶體管的源端、第六NMOS晶體管的源端與第一PMOS晶體管的源端相連接，第一PMOS晶體管的漏端、第一PMOS晶體管的柵端與第二PMOS晶體管的源端相連接，第二PMOS晶體管的漏端、第二PMOS晶體管的柵端與第三PMOS晶體管的源端相連接，第三PMOS晶體管的漏端、第三PMOS晶體管的柵端、第四PMOS晶體管的源端與第九NMOS晶體管的柵端相連接，第四PMOS晶體管的漏端、第四PMOS晶體管的柵端、第九NMOS晶體管的源端與地GND相連接，第七NMOS晶體管的源端、第八NMOS晶體管的源端與第九NMOS晶體管的漏端相連接；

自調節電路包括第十NMOS晶體管、第十一NMOS晶體管、第五PMOS晶體管、第六PMOS晶體管、第一電阻、第一BUF、第一放大器和第一數字信號發生電路，第十NMOS晶體管的漏端、第五PMOS晶體管的漏端、第五PMOS晶體管的柵端與第六PMOS晶體管的柵端相連接，第五PMOS晶體管的源端、第六PMOS晶體管的源端、第一放大器的電源輸入端與VCC相連接，第六PMOS晶體管的漏端、第一電阻的一端與第一放大器的正輸入端相連接，第一放大器的負輸入端、第一放大器的輸出端與第一BUF的電源相連接，第一數字信號發生電路輸出端與第一BUF的輸入端相連接，第一BUF的輸出端與第十一NMOS的柵極相連接，第十一NMOS晶體管的漏端與限幅電路的第九NMOS晶體管的漏端相連接，第十NMOS晶體管的柵極與限幅電路的第九NMOS晶體管的柵端相連接，第十NMOS晶體管的源端、第十一NMOS晶體管的源端、第一電阻的另一端與地GND相連接。

2.如權利要求1所述的帶自動調節負載電阻的調制電路，其特征在于，所述調制電路中，電磁感應耦合電路中的第一電感器為解讀器，電磁感應耦合電路中的第二電感器和第一電容器，與調制電路中的整流電路、限幅電路和自調節電路組成應答器。