[發(fā)明專利]硅基彩色OLED微顯示器件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711335865.3
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN108063154B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 晉芳銘;李文連;任清江;王仕偉;趙錚濤
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 合肥東信智谷知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34143
• 代理人: 王學(xué)勇

1.一種硅基彩色OLED微顯示器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、在CMOS電路硅基底(100)上制作像素陽極(200)；

S2、在相鄰像素陽極(200)間隔處制作反射阻擋層(800)；

S3、在像素陽極(200)上依次蒸鍍空穴注入層HIL(301)、空穴傳輸層HTL(302)、發(fā)光層EML(303)、電子傳輸層ETL(304)、電子注入層EIL(305)、透明陰極(400)；

S4、透明陰極(400)上封裝薄膜層(500)；

S5、在封裝薄膜層(500)上制作彩色光阻層(600)；

S6、在彩色光阻層(600)上貼合玻璃蓋片(700)；

S7、切割后，獲得產(chǎn)物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基彩色OLED微顯示器件的制作方法，其特征在于，所述的反射阻擋層(800)的制作包括以下步驟：

T1、在像素陽極(200)間隔處的氧化硅或者氮化硅上通過磁控濺射的方法生長上一層厚度100~200nm的鋁層(801)；

T2、通過原子層沉積在鋁層(801)外生長一層5~50 nm的氧化鋁層(802)將鋁層(801)包覆起來。

3.一種采用如權(quán)利要求1-2任一項所述的硅基彩色OLED微顯示器件的制作方法制備的硅基彩色OLED微顯示器件，其特征在于，包括CMOS電路硅基底(100)；在所述CMOS電路硅基底(100)的表面間隔制作像素陽極(200)，在相鄰像素陽極(200)的間隙處制作反射阻擋層(800)，在像素陽極(200)上依次蒸鍍空穴注入層HIL(301)、空穴傳輸層HTL(302)、發(fā)光層EML(303)、電子傳輸層ETL(304)、電子注入層EIL(305)、透明陰極(400)；在透明陰極(400)上封裝薄膜層(500)；在封裝薄膜層(500)上制作彩色光阻層(600)；在彩色光阻層(600)上貼合玻璃蓋片(700)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅基彩色OLED微顯示器件，其特征在于，單個所述像素陽極(200)的面積小于30μm2。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅基彩色OLED微顯示器件，其特征在于，所有像素陽極(200)在CMOS電路硅基底(100)表面分布呈矩形條狀陣列或矩形條狀交錯陣列或六邊形陣列。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅基彩色OLED微顯示器件，其特征在于，相鄰像素陽極(200)之間填充有氧化硅或者氮化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅基彩色OLED微顯示器件，其特征在于，相鄰像素陽極(200)之間的最大間隔≤1μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅基彩色OLED微顯示器件，其特征在于，每三個相鄰像素為一組，分別用于顯示紅色、綠色、藍(lán)色；所述三個像素構(gòu)成一個全彩色像素，全彩色像素的分辨率≥800×600。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅基彩色OLED微顯示器件，其特征在于，所述反射阻擋層(800)包括鋁層(801)以及包裹在外圍的氧化鋁層(802)。

10.一種反射阻擋層的制作方法，包括以下步驟：

T1、在像素陽極(200)間隔處的氧化硅或者氮化硅上通過磁控濺射的方法生長上一層厚度100~200nm的鋁層(801)；

T2、通過原子層沉積在鋁層(801)外生長一層5~50 nm的氧化鋁層(802)將鋁層(801)包覆起來。