[發(fā)明專利]一種自對(duì)準(zhǔn)曝光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711334555.X
• 申請(qǐng)日: 2017-12-13
• 公開（公告）號(hào): CN108074798B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉滋婧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種自對(duì)準(zhǔn)曝光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括步驟：提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極材料層；

在所述柵極材料層上形成核心圖形層，所述核心圖形層包括多個(gè)間隔的核心，且至少一個(gè)間隔的尺寸小于等于設(shè)定尺寸，且小于等于設(shè)定尺寸的所述間隔中的兩個(gè)所述核心的寬度不同；

在所述柵極材料層上的多個(gè)所述核心兩側(cè)形成側(cè)壁，使得位于小于等于設(shè)定尺寸的間隔中的兩個(gè)側(cè)壁相連接，其余間隔中的兩個(gè)側(cè)壁之間暴露出所述柵極材料層；

去除所述核心圖形層；

以所述側(cè)壁為掩膜刻蝕所述柵極材料層；

去除所述側(cè)壁，獲得多個(gè)第一柵極和至少一個(gè)第二柵極，所述第二柵極的寬度大于所述第一柵極的寬度；以及在所述第二柵極上形成接觸孔。

2.如權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)曝光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述柵極材料層采用多晶硅或金屬材質(zhì)。

3.如權(quán)利要求1或2所述的自對(duì)準(zhǔn)曝光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述柵極材料層采用化學(xué)氣相淀積工藝淀積而成。

4.如權(quán)利要求1或2所述的自對(duì)準(zhǔn)曝光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述柵極材料層下方還形成有柵極介質(zhì)層。

5.如權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)曝光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的 制作方法，其特征在于，在所述柵極材料層上形成所述核心圖形層的步驟包括：在所述柵極材料層上淀積核心圖形材料層；

刻蝕所述核心圖形材料層，得到多個(gè)間隔的核心，且至少一個(gè)間隔的尺寸小于等于設(shè)定尺寸。

6.如權(quán)利要求5所述的自對(duì)準(zhǔn)曝光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的 制作方法，其特征在于，所述核心圖形材料層為電介質(zhì)薄膜和金屬薄膜中的任意一種或任意多種的組合。

7.如權(quán)利要求5所述的自對(duì)準(zhǔn)曝光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的 制作方法，其特征在于，所述核心圖形層上還淀積有抗反射層。

8.如權(quán)利要求1或5所述的自對(duì)準(zhǔn)曝光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的 制作方法，其特征在于，所述設(shè)定尺寸為0.020-0.090微米。

9.如權(quán)利要求1或5所述的自對(duì)準(zhǔn)曝光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的 制作方法，其特征在于，在所述柵極材料層上的多個(gè)所述核心兩側(cè)形成側(cè)壁的步驟包括：淀積間隔材料層，所述間隔材料層分布在多個(gè)所述核心和多個(gè)所述間隔暴露出的柵極材料層上；

刻蝕所述間隔材料層，在多個(gè)所述核心兩側(cè)形成側(cè)壁，使得位于小于等于設(shè)定尺寸的間隔中的兩個(gè)側(cè)壁保持連接，其余間隔中的兩個(gè)側(cè)壁之間暴露出所述柵極材料層。

10.如權(quán)利要求9所述的自對(duì)準(zhǔn)曝光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的 制作方法，其特征在于，所述間隔材料層采用氮化硅材質(zhì)。

11.如權(quán)利要求9所述的自對(duì)準(zhǔn)曝光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的 制作方法，其特征在于，所述間隔材料層利用原子層沉積工藝淀積而成。

12.如權(quán)利要求9所述的自對(duì)準(zhǔn)曝光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的 制作方法，其特征在于，采用四氟化碳?xì)怏w干法刻蝕工藝刻蝕所述間隔材料層，去除多個(gè)所述核心上的間隔材料層以及所述柵極材料層上間隔材料層的薄弱處。

13.如權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)曝光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的 制作方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝去除所述核心圖形層。

14.如權(quán)利要求13所述的自對(duì)準(zhǔn)曝光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的 制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝?yán)脷浞崛芤哼M(jìn)行。