[發(fā)明專利]手機(jī)玻璃蓋板實(shí)驗(yàn)平臺(tái)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711332397.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109913824A | 公開(公告)日: | 2019-06-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 祝海生;孫桂紅;黃樂;陳立;凌云;黃夏;黃國(guó)興 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 湘潭宏大真空技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/34 | 分類號(hào): | C23C14/34;C23C14/35;C23C14/54;G01N21/84;G01N21/95 |
| 代理公司: | 上海精晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31253 | 代理人: | 張超宇;馮子玲 |
| 地址: | 411100 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 實(shí)驗(yàn)平臺(tái) 手機(jī)玻璃 真空鍍膜 蓋板 基片架 滑動(dòng)鍵 兩側(cè)板 導(dǎo)軌 鍍膜 大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn) 真空鍍膜生產(chǎn)線 低成本生產(chǎn) 光電檢測(cè) 基片安裝 平行設(shè)置 質(zhì)檢系統(tǒng) 質(zhì)量檢測(cè) 滑動(dòng) 出口室 側(cè)板 可用 腔室 質(zhì)檢 傳送 室內(nèi) 配合 | ||
本發(fā)明公開了手機(jī)玻璃蓋板實(shí)驗(yàn)平臺(tái),設(shè)于真空鍍膜生產(chǎn)線質(zhì)檢室內(nèi),所述手機(jī)玻璃蓋板實(shí)驗(yàn)平臺(tái)包括平行設(shè)置的兩側(cè)板、在兩側(cè)板上滑動(dòng)的真空鍍膜基片架,和一質(zhì)檢系統(tǒng),所述側(cè)板上設(shè)有導(dǎo)軌,所述真空鍍膜基片架底部設(shè)有滑動(dòng)鍵和傳動(dòng)機(jī)構(gòu),所述真空鍍膜基片架通過(guò)滑動(dòng)鍵和傳動(dòng)機(jī)構(gòu)在導(dǎo)軌上運(yùn)動(dòng)。本發(fā)明提供的手機(jī)玻璃蓋板實(shí)驗(yàn)平臺(tái)可用于真空鍍膜基片的質(zhì)量檢測(cè),通過(guò)將出口室傳送的完成鍍膜的基片安裝于基片孔內(nèi)進(jìn)行光電檢測(cè),能夠配合生產(chǎn)線各腔室實(shí)現(xiàn)鍍膜的大批量、低成本生產(chǎn),特別適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及手機(jī)玻璃蓋板實(shí)驗(yàn)平臺(tái),屬于真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀(jì)30年代,四五十年代開始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用,工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開始于20世紀(jì)80年代,在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得廣泛的應(yīng)用。真空鍍膜技術(shù)是一種新穎的材料合成與加工的新技術(shù),是表面工程技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。真空鍍膜技術(shù)是利用物理、化學(xué)手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜,從而使固體表面具有耐磨損、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化、防輻射、導(dǎo)電、導(dǎo)磁、絕緣和裝飾燈許多優(yōu)于固體材料本身的優(yōu)越性能,達(dá)到提高產(chǎn)品質(zhì)量、延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命、節(jié)約能源和獲得顯著技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益的作用。需要鍍膜的被稱為基片,鍍的材料被稱為靶材。
磁控濺射是利用荷能粒子轟擊固體靶材,使靶材原子或分子被濺射出來(lái)并沉積到襯底表面的一種工藝。靶材可選用金屬靶和陶瓷靶。磁控濺射制備法具有沉積速率高、基片溫度低、成膜黏附性好、易控制、成本低、適合大面積制膜的優(yōu)點(diǎn)。真空蒸鍍就是將需要制成薄膜的物質(zhì)放于真空中進(jìn)行蒸發(fā)或升華,使之在基片表面上析出。真空蒸鍍的裝置比較簡(jiǎn)單,工藝參數(shù)較少,易控制薄膜的生長(zhǎng),薄膜中雜質(zhì)含量低。但真空度的高低直接影響薄膜的結(jié)構(gòu)和性能,真空度低,材料受殘余氣體分子污染嚴(yán)重,薄膜性能變差,提高襯底溫度有利于氣體分子的解吸。
隨著真空鍍膜領(lǐng)域中鍍膜技術(shù)的日新月異,對(duì)鍍膜產(chǎn)品的要求也越來(lái)越高,因此鍍膜生產(chǎn)線也出現(xiàn)越來(lái)越多的改進(jìn),生產(chǎn)線的要求隨之提高,現(xiàn)有技術(shù)的鍍膜生產(chǎn)線的整體穩(wěn)定性及鍍膜均勻性,生產(chǎn)效率低以及相應(yīng)的設(shè)備成本高。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題,本發(fā)明的目的是提供可立式鍍膜的手機(jī)玻璃蓋板實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。
為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
本發(fā)明的目的在于提供手機(jī)玻璃蓋板實(shí)驗(yàn)平臺(tái),設(shè)于真空鍍膜生產(chǎn)線質(zhì)檢室內(nèi),所述手機(jī)玻璃蓋板實(shí)驗(yàn)平臺(tái)包括平行設(shè)置的兩側(cè)板、在兩側(cè)板上滑動(dòng)的真空鍍膜基片架,和一質(zhì)檢系統(tǒng),所述側(cè)板上設(shè)有導(dǎo)軌,所述真空鍍膜基片架底部設(shè)有滑動(dòng)鍵和傳動(dòng)機(jī)構(gòu),所述真空鍍膜基片架通過(guò)滑動(dòng)鍵和傳動(dòng)機(jī)構(gòu)在導(dǎo)軌上運(yùn)動(dòng)。
所述真空鍍膜基片架為至少一個(gè),每個(gè)所述導(dǎo)軌數(shù)量是真空鍍膜基片架數(shù)量的兩倍,所述導(dǎo)軌分別等高的安裝于實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的兩側(cè)板上,每個(gè)真空鍍膜基片架側(cè)邊位于導(dǎo)軌上,即真空鍍膜基片架在其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)軌上滑動(dòng),即在實(shí)驗(yàn)平臺(tái)上水平移動(dòng)。
所述質(zhì)檢系統(tǒng)包括光源和順次連接的光電探測(cè)器、濾波器和A/D轉(zhuǎn)換器,所述光源與光電探測(cè)器分設(shè)于實(shí)驗(yàn)平臺(tái)兩側(cè)板的頂部和底部,即所述光源與光電探測(cè)器之間有若干導(dǎo)軌,所述光源發(fā)出的光透過(guò)真空鍍膜基片被光電探測(cè)器接收,經(jīng)濾波后通過(guò)A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為檢測(cè)信號(hào)。
所述傳動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)于真空鍍膜基片架與導(dǎo)軌連接處,沿導(dǎo)軌走向安裝。
所述傳動(dòng)機(jī)構(gòu)包括磁性連接的永磁傳動(dòng)電機(jī)、磁導(dǎo)向件和磁傳動(dòng)件,所述磁傳動(dòng)件安裝于真空鍍膜基片架側(cè)邊,所述磁導(dǎo)向件安裝于導(dǎo)軌內(nèi)部。
所述真空鍍膜基片架上并列有若干排基片孔,真空鍍膜基片安裝于基片孔內(nèi)。
所述質(zhì)檢系統(tǒng)還包括服務(wù)器,所述服務(wù)器與A/D轉(zhuǎn)換器相連,用于將轉(zhuǎn)換的電信號(hào)進(jìn)行分析和對(duì)比。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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