[發明專利]P型溝道SONOS閃存單元的操作方法

有效

• 申請號: 201711330907.4
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN107994019B
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 徐濤
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/11585
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種P型溝道SONOS閃存單元的操作方法，其特征在于，包括閃存單元，所述閃存單元包括：

P型襯底，所述P型襯底內形成有N阱，所述N阱中形成有P型摻雜區，所述P型摻雜區作為源極和漏極，所述N阱的P型摻雜區上形成有第一位線和第二位線，所述源極與所述第一位線連接，所述漏極與所述第二位線連接；

位于所述N阱上的柵極結構，所述柵極結構包括第一存儲位、第二存儲位和字線柵，所述第一存儲位、所述字線柵和所述第二存儲位依次并排排列在所述源極和所述漏極之間，所述第一存儲位包括第一控制柵和第一氮化硅，所述第二存儲位包括第二控制柵和第二氮化硅；

對第一存儲位編程時，在第一控制柵上施加第一電壓，在第二控制柵上施加第二電壓，在第一位線上施加第三電壓，在第二位線上施加零電壓，在字線柵上施加第四電壓，在N阱上施加零電壓；

對第二存儲位編程時，在第一控制柵上施加第二電壓，在第二控制柵上施加第一電壓，在第一位線上施加零電壓，在第二位線上施加第三電壓，在字線柵上施加第四電壓，在N阱上施加零電壓；其中，所述第一電壓的范圍為-1V至-3V，所述第二電壓的范圍為-4V至-6V，所述第三電壓的范圍為-6V至-10V，所述第四電壓的范圍為-2V至-4V。

2.一種P型溝道SONOS閃存單元的操作方法，其特征在于，包括閃存單元，所述閃存單元包括：P型襯底，所述P型襯底內形成有N阱，所述N阱中形成有P型摻雜區，所述P型摻雜區作為源極和漏極，所述N阱的P型摻雜區上形成有第一位線和第二位線，所述源極與所述第一位線連接，所述漏極與所述第二位線連接；

位于所述N阱上的柵極結構，所述柵極結構包括第一存儲位、第二存儲位和字線柵，所述第一存儲位、所述字線柵和所述第二存儲位依次并排排列在所述源極和所述漏極之間，所述第一存儲位包括第一控制柵和第一氮化硅，所述第二存儲位包括第二控制柵和第二氮化硅；

對第一存儲位讀取時，在第一控制柵上施加零電壓，在第二控制柵上施加第五電壓，在第一位線上施加零電壓，在第二位線上施加第六電壓，在字線柵上施加第七電壓，在N阱上施加零電壓；

對第二存儲位讀取時，在第一控制柵上施加第五電壓，在第二控制柵上施加零電壓，在第一位線上施加第六電壓，在第二位線上施加零電壓，在字線柵上施加第七電壓，在N阱上施加零電壓；其中，所述第五電壓的范圍為-4.5V至-6V，所述第六電壓的范圍為-1V至-3V，所述第七電壓的范圍為-2V至-4V。