[發明專利]一種紅外、激光和微波低可探測性兼容的亞波長結構材料

有效

• 申請號: 201711327722.8
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN108061929B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 羅先剛;蒲明博;李雄;馬曉亮;申國慶
• 申請（專利權）人: 中國科學院光電技術研究所
• 主分類號: G02B5/02
• 分類號: G02B5/02;H01Q17/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種紅外、激光和微波低可探測性兼容的亞波長結構材料，其特征在于：隱身材料從上到下依次包括金屬型頻率選擇表面層I、介質層I、金屬型頻率選擇表面層II、介質層II、電阻膜層和介質層III；所述金屬型頻率選擇表面層均為亞波長貼片型陣列，所用金屬具有低紅外發射率的特性，金屬型頻率選擇表面層I、介質層I和金屬型頻率選擇表面層II主要用來實現對激光與紅外的低可探測性，介質層II、電阻膜層、介質層III和金屬反射平板主要用來實現對微波的吸收；

所述金屬型頻率選擇表面層I的厚度t1為0.05μm～0.1μm，所述介質層I的厚度t2為1μm～2μm，所述金屬型頻率選擇表面層II的厚度t3為0.08μm～0.15μm，所述介質層II的厚度t4為1.6mm～3mm，所述電阻膜層的厚度t5為0.01mm～0.03mm，所述介質層III的厚度t6為1.2mm～2.8mm；

具有貼片型陣列的所述金屬型頻率選擇表面層I的周期單元尺寸p為2.6μm～4.8μm，其周期單元p的比例系數x1為0.5～0.8,x2為0.1～0.4；

具有貼片型陣列的所述金屬型頻率選擇表面層II的周期單元尺寸q為2.6μm～4.8μm，其周期單元q的比例系數y為0.9～0.98；

所述低紅外發射率的金屬為金、銀、鋁、銅或鉑；

所述電阻膜層的方阻Rs為20Ω/□～200Ω/□；

所述介質層I的介電常數Er1為1.5～3.5，介電損耗tanδ1為0.001～0.03；

所述介質層II的介電常數Er2為2～6，介電損耗tanδ2為0.001～0.09；

所述介質層III的介電常數Er3為2～8，介電損耗tanδ2為0.001～0.09。