[發明專利]一種調整晶體管襯底電壓校正片上非均勻性的裝置及方法

有效

• 申請號: 201711327490.6
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN108225564B
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 李聰科;俞白軍
• 申請（專利權）人: 煙臺睿創微納技術股份有限公司
• 主分類號: G01J5/00
• 分類號: G01J5/00
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 尉保芳

1.一種調整晶體管襯底電壓校正片上非均勻性的裝置，其特征在于， 包括：第一模數轉換器（1），第二模數轉換器（2），第一功能模塊電路（3），第二功能模塊電路（4），PMOS管（5），NMOS管（6），傳感器探測元電阻陣列（7），積分電路（8），不感光電阻（9）；

所述NMOS管（6）的漏極與所述傳感器探測元電阻陣列（7）連接，源極分別與所述PMOS管（5）的漏極和所述積分電路（8）連接；

所述PMOS管（5）的源極與所述不感光電阻（9）的一端連接，漏極還與所述積分電路（8）連接；

所述第一功能模塊電路（3）與所述PMOS管（5）的柵極連接，所述第二功能模塊電路（4）與所述NMOS管（6）的柵極連接；

所述第一模數轉換器（1）與所述PMOS管（5）的襯底連接，所述第二模數轉換器（2）與所述NMOS管（6）的襯底連接，用于調節所述PMOS管（5）和所述NMOS管（6）的襯底電壓。

2.根據權利要求1所述的一種調整晶體管襯底電壓校正片上非均勻性的裝置，其特征在于，所述第一功能模塊電路（3）和第二功能模塊電路（4）均為根據實際需要而設計的用作擴展功能的功能模塊電路。

3.根據權利要求2所述的一種調整晶體管襯底電壓校正片上非均勻性的裝置，其特征在于，所述積分電路（8）包括開關（10）、電容（11）和運算放大器（12）；所述開關（10）和所述電容（11）并聯；所述開關（10）與所述運算放大器（12）的輸入端和輸出端連接；所述電容（11）與所述運算放大器（12）的輸入端和輸出端連接。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的一種調整晶體管襯底電壓校正片上非均勻性的裝置，其特征在于，所述不感光電阻（9）的阻值與所述傳感器探測元電阻陣列（7）中的任一傳感器探測元電阻的阻值相同。

5.一種基于如權利要求1至4中任一項所述裝置的調整晶體管襯底電壓校正片上非均勻性的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：所述NMOS管（6）的漏極與所述傳感器探測元電阻陣列（7）中的接收紅外輻射的傳感器探測元電阻自動連接，所述第一功能模塊電路（3）向所述PMOS管（5）的柵極輸入電壓信號，所述PMOS管（5）的漏極輸出電流信號；

步驟二：所述電流信號分兩路流入所述NMOS管（6）的源極和所述積分電路（8），通過所述第一模數轉換器（1）調節所述PMOS管（5）的襯底電壓以調節所述電流信號和/或通過所述第二模數轉換器（2）調節所述NMOS管（6）的襯底電壓以調節流入所述NMOS管（6）的電流信號，以校正流入積分電路（8）的積分電流；

步驟三：所述積分電路（8）根據校正后的所述積分電流輸出積分電壓信號。

6.根據權利要求5所述的一種調整晶體管襯底電壓校正片上非均勻性的方法，其特征在于，所述第一模數轉換器（1）自動連續地向所述PMOS管（5）的襯底輸入不同的調節電壓。

7.根據權利要求5或6所述的一種調整晶體管襯底電壓校正片上非均勻性的方法，其特征在于，所述第二模數轉換器（2）自動連續地向所述NMOS管（6）的襯底輸入不同的調節電壓。

8.根據權利要求5所述的一種調整晶體管襯底電壓校正片上非均勻性的方法，其特征在于，所述第一模數轉換器（1）輸入所述PMOS管（5）的襯底的調節電壓的位數和/或所述第二模數轉換器（2）輸入所述NMOS管（6）的襯底的調節電壓的位數均根據實際精度需要進行調節。