[發(fā)明專利]一種用于光波導(dǎo)加熱電極及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711325585.4
• 申請(qǐng)日: 2017-12-13
• 公開（公告）號(hào): CN108089351A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 傅力;王定理;黃曉東;岳愛文;王任凡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢電信器件有限公司;武漢光迅科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/01
• 分類號(hào): G02F1/01
• 代理公司: 北京天奇智新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11340
• 代理人: 劉黎明

1.一種光波導(dǎo)加熱電極，其特征在于，所述加熱電極材料為TixWyNz。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)加熱電極，其特征在于，包括：位于襯底(1)上的光波導(dǎo)(2)，位于所述光波導(dǎo)(2)上的TixWyNz材料層，位于所述TixWyNz材料層上的導(dǎo)電電極(5)。

3.一種光波導(dǎo)加熱電極的制作方法，其特征在于，包括：

在刻有加熱電極圖形的光波導(dǎo)兩側(cè)襯底上覆蓋光刻膠；

在光波導(dǎo)及光刻膠上鍍制TixWyNz薄膜；

去除光刻膠及附著于光刻膠表面的TixWyNz薄膜，形成疊加于光波導(dǎo)層上的TixWyNz加熱電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種光波導(dǎo)加熱電極的制作方法，其特征在于，在光波導(dǎo)及光刻膠上鍍制TixWyNz薄膜時(shí)：

使用兩個(gè)濺射靶槍分別控制Ti靶和W靶的工藝參數(shù)以獲得不同Ti與W比例的TixWyNz

和/或

在濺射時(shí)調(diào)節(jié)Ar與N2的分壓比，以可調(diào)節(jié)TixWyNz加熱層應(yīng)力。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種光波導(dǎo)加熱電極的制作方法，其特征在于，在金屬剝離液中去除襯底表面上的光刻膠以及光刻膠表面所附著的TixWyNz薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種光波導(dǎo)加熱電極的制作方法，其特征在于，還包括：

在套刻有導(dǎo)電電極圖形的TixWyNz加熱電極兩側(cè)襯底上覆蓋光刻膠；

在TixWyNz加熱電極及光刻膠上鍍制導(dǎo)電薄膜；

去除光刻膠及附著于光刻膠表面的導(dǎo)電薄膜，形成疊加于TixWyNz加熱電極上的導(dǎo)電電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種光波導(dǎo)加熱電極的制作方法，其特征在于，所述導(dǎo)電電極材料為Au或者Al。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種光波導(dǎo)加熱電極的制作方法，其特征在于，所述TixWyNz薄膜厚度為400-500nm；

和/或形成疊加于光波導(dǎo)層上的TixWyNz加熱電極后，將TixWyNz加熱電極置于退火爐中退火，冷卻后取出。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種光波導(dǎo)加熱電極的制作方法，其特征在于，退火溫度為400-500℃，退火時(shí)間1-4h，氣氛為N2或者真空。

10.根據(jù)權(quán)利要求4中，Ti與W的質(zhì)量比為12-14；和/或Ar/N2的分壓比為2.3-6.0。