[發明專利]一種原位混雜碳納米管增強陶瓷基復合材料制備方法在審

申請號：	201711325368.5	申請日：	2017-12-08
公開（公告）號：	CN107986808A	公開（公告）日：	2018-05-04
發明（設計）人：	方雙全;秦云晴;田郭濤	申請（專利權）人：	揚州大學
主分類號：	C04B35/80	分類號：	C04B35/80;C04B35/622;C04B35/58
代理公司：	南京中新達專利代理有限公司32226	代理人：	孫鷗,朱杰
地址：	225009 ***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種原位混雜納米增強陶瓷復合材料制備方法
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【權利要求書】：

1.一種原位混雜碳納米管增強陶瓷基復合材料制備方法，其特征在于：由碳納米管、Ti與Si粉末通過真空熱壓燒結得到碳納米管與Ti₃SiC₂混雜增強Ti₅Si₃基復合材料，其中增強相Ti₃SiC₂通過原位反應得到，與未反應碳納米管協同增強原位反應得到的基體相Ti₅Si₃。

2.根據權利要求1所述的一種原位混雜碳納米管增強陶瓷基復合材料制備方法，其特征在于：所述碳納米管與Ti、Si粉末的混合是通過采用化學接枝與超聲分散相結合，實現碳納米管的均勻分散。

3.根據權利要求1所述的一種原位混雜碳納米管增強陶瓷基復合材料制備方法，其特征在于：所述碳納米管是單壁碳納米管或多壁碳納米管。

4.根據權利要求1所述的一種原位混雜碳納米管增強陶瓷基復合材料制備方法，其特征在于：所述真空熱壓燒結工藝為：將準備好的粉體放入石墨模具中，放入真空度小于1.0×10^-2真空熱壓爐中，以10-20℃/min的速度升溫到1350-1450℃，保溫2-4小時，最大壓力為20-30MPa，然后以30-50℃/min的降溫速率進行退火至400℃，然后隨爐冷卻至室溫。

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