[發明專利]一種室溫拓撲絕緣體太赫茲探測器及制備方法在審
| 申請號： | 201711324336.3 | 申請日： | 2017-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN107946401A | 公開（公告）日： | 2018-04-20 |
| 發明（設計）人： | 王林;唐偉偉;劉昌龍;郭萬龍;陳效雙 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/119 | 分類號： | H01L31/119;H01L31/0336;H01L31/18;H01L27/144 |
| 代理公司： | 上海滬慧律師事務所31311 | 代理人： | 李秀蘭 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 室溫 拓撲 絕緣體 赫茲 探測器 制備 方法 | ||
1.一種室溫拓撲絕緣體太赫茲探測器，包括襯底(1)，氧化物層(2)、拓撲絕緣體(3)、對數周期天線(4)、金屬源極(5)和金屬漏極(6)，其特征在于，
所述探測器的結構自下而上依次為：襯底(1)、氧化層(2)、拓撲絕緣體(3)、在拓撲絕緣體上層是對數周期天線(4)、金屬源極(5)、金屬漏極(6)；其中：
所述的襯底(1)為低摻雜的Si襯底；厚度為0.3-0.5毫米；
所述的氧化物層(2)為SiO2，厚度300±10納米；
所述的拓撲絕緣體(3)為硒化鉍薄膜，溝道長度從2微米到6微米，厚度從10納米到60納米；
所述的對數周期天線(4)外徑4毫米，角度為50°，下層Cr的厚度為5-15納米，上層Au的厚度為60-80納米；
所述的金屬源極(5)和金屬漏極(6)為Cr和Au電極，下層Cr的厚度為5-15納米，上層Au的厚度為60-80納米。
2.一種制備如權利要求1所述的室溫拓撲絕緣體探測器的方法，其特征在于包括以下步驟：
1)通過熱氧化法在襯底(1)上制備氧化物層(2)；
2)通過機械剝離方法將硒化鉍薄膜(3)轉移至氧化物層(2)的表面；
3)采用紫外光刻技術或者電子束曝光技術，結合熱蒸發及傳統剝離工藝在制備對數周期天線(4)金屬源極(5)和金屬漏極(6)，形成硒化鉍薄膜半導體場效應結構器件，電極為鉻、金，厚度分別為5-15納米，60-80納米。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海技術物理研究所，未經中國科學院上海技術物理研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711324336.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
