[發(fā)明專利]電泵浦鈣鈦礦量子點(diǎn)激光器的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711323556.4 | 申請(qǐng)日： | 2017-12-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108063365B | 公開（公告）日： | 2020-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭婉華;劉志爽;王宇飛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01S5/20 | 分類號(hào)： | H01S5/20;H01S5/30;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 湯寶平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電泵浦鈣鈦礦 量子 激光器 制備 方法 | ||
1.一種電泵浦鈣鈦礦量子點(diǎn)激光器的制備方法，包括如下步驟：
步驟1：在一襯底刻蝕第一光子晶體結(jié)構(gòu)為激光器提供諧振腔和面發(fā)射機(jī)制；
步驟2：在一負(fù)電極上依次制備電子傳輸層、鈣鈦礦量子點(diǎn)層、空穴傳輸層和正電極，形成第一基片；
步驟3：將刻蝕有第一光子晶體結(jié)構(gòu)的襯底與第一基片鍵合，完成制備；
其中，所述第一光子晶體包括不同晶格或不同缺陷腔或陣列或耦合腔陣列的光子晶體；光子晶體結(jié)構(gòu)為完整光子晶體結(jié)構(gòu)或啁啾漸變結(jié)構(gòu)或隨機(jī)結(jié)構(gòu)；
光子晶體結(jié)構(gòu)的諧振波長與鈣鈦礦材料的發(fā)光波長一致。
2.一種電泵浦鈣鈦礦量子點(diǎn)激光器的制備方法，包括如下步驟：
步驟1：在一襯底刻蝕第一光子晶體結(jié)構(gòu)，為激光器提供諧振腔和面發(fā)射機(jī)制；
步驟2：在一電子傳輸層上面的一側(cè)依次制備鈣鈦礦量子點(diǎn)層、空穴傳輸層和正電極，在電子傳輸層上面的另一側(cè)制備負(fù)電極，形成第二基片；
步驟3：將刻蝕有第一光子晶體結(jié)構(gòu)的襯底與第二基片鍵合，完成制備；其中，所述第一光子晶體包括不同晶格或不同缺陷腔或陣列或耦合腔陣列的光子晶體；光子晶體結(jié)構(gòu)為完整光子晶體結(jié)構(gòu)或啁啾漸變結(jié)構(gòu)或隨機(jī)結(jié)構(gòu)；
光子晶體結(jié)構(gòu)的諧振波長與鈣鈦礦材料的發(fā)光波長一致。
3.一種電泵浦鈣鈦礦量子點(diǎn)激光器的制備方法，包括如下步驟：
步驟1：在一負(fù)電極上依次制備電子傳輸層、鈣鈦礦量子點(diǎn)層、空穴傳輸層和正電極；
步驟2：刻蝕，在正電極上刻蝕第二光子晶體結(jié)構(gòu)，為激光器提供諧振腔和面發(fā)射機(jī)制；其中，所述第二光子晶體包括不同晶格或不同缺陷腔或陣列或耦合腔陣列的光子晶體；光子晶體結(jié)構(gòu)為完整光子晶體結(jié)構(gòu)或啁啾漸變結(jié)構(gòu)或隨機(jī)結(jié)構(gòu)；
光子晶體結(jié)構(gòu)的諧振波長與鈣鈦礦材料的發(fā)光波長一致。
4.一種電泵浦鈣鈦礦量子點(diǎn)激光器的制備方法，包括如下步驟：
步驟1：在一負(fù)電極上依次制備電子傳輸層、鈣鈦礦量子點(diǎn)層、空穴傳輸層和正電極；
步驟2：刻蝕，在負(fù)電極上刻蝕第三光子晶體結(jié)構(gòu)，為激光器提供諧振腔和面發(fā)射機(jī)制；其中，所述第三光子晶體包括不同晶格或不同缺陷腔或陣列或耦合腔陣列的光子晶體；光子晶體結(jié)構(gòu)為完整光子晶體結(jié)構(gòu)或啁啾漸變結(jié)構(gòu)或隨機(jī)結(jié)構(gòu)；
光子晶體結(jié)構(gòu)的諧振波長與鈣鈦礦材料的發(fā)光波長一致。
5.一種電泵浦鈣鈦礦量子點(diǎn)激光器的制備方法，包括如下步驟：
步驟1：在一負(fù)電極上依次制備電子傳輸層、鈣鈦礦量子點(diǎn)層和空穴傳輸層；
步驟2：刻蝕，在空穴傳輸層上刻蝕第四光子晶體結(jié)構(gòu)，為激光器提供諧振腔和面發(fā)射機(jī)制；
步驟3：在刻蝕有光子晶體結(jié)構(gòu)的空穴傳輸層上制備正電極；其中，所述第四光子晶體包括不同晶格或不同缺陷腔或陣列或耦合腔陣列的光子晶體；光子晶體結(jié)構(gòu)為完整光子晶體結(jié)構(gòu)或啁啾漸變結(jié)構(gòu)或隨機(jī)結(jié)構(gòu)；
光子晶體結(jié)構(gòu)的諧振波長與鈣鈦礦材料的發(fā)光波長一致。
6.一種電泵浦鈣鈦礦量子點(diǎn)激光器的制備方法，包括如下步驟：
步驟1：在一負(fù)電極上制備電子傳輸層；
步驟2：刻蝕，在電子傳輸層上刻蝕第五光子晶體結(jié)構(gòu)，為激光器提供諧振腔和面發(fā)射機(jī)制；
步驟3：在刻蝕有光子晶體結(jié)構(gòu)的電子傳輸層上依次制備鈣鈦礦量子點(diǎn)層、制備空穴傳輸層和正電極；其中，所述第五光子晶體包括不同晶格或不同缺陷腔或陣列或耦合腔陣列的光子晶體；光子晶體結(jié)構(gòu)為完整光子晶體結(jié)構(gòu)或啁啾漸變結(jié)構(gòu)或隨機(jī)結(jié)構(gòu)；
光子晶體結(jié)構(gòu)的諧振波長與鈣鈦礦材料的發(fā)光波長一致。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的電泵浦鈣鈦礦量子點(diǎn)激光器的制備方法，其中在正電極和負(fù)電極的材料為Al、Ag或者透明電極ITO。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電泵浦鈣鈦礦量子點(diǎn)激光器的制備方法，其中襯底與第一基片或第二基片的結(jié)合方式包括直接鍵合、BCB輔助間接鍵合或直接生長。
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