[發(fā)明專利]光柵制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711323285.2
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號(hào): CN108107497B
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 鄭君雄
• 主分類號(hào): G02B5/18
• 分類號(hào): G02B5/18;G03F7/20
• 代理公司: 北京恒泰銘睿知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11642
• 代理人: 張靜

1.一種光柵制作方法，其特征在于，包括：

在基底表面依次形成第一光刻膠和第二光刻膠，其中所述第二光刻膠覆蓋所述第一光刻膠，且其最低顯開能量小于所述第一光刻膠；

采用第一掩膜板對所述第二光刻膠進(jìn)行第一次曝光處理，其中所述第二光刻膠在第一掩膜區(qū)域形成第一光刻膠圖形；

采用第二掩膜板對所述第二光刻膠進(jìn)行第二次曝光處理，其中所述第二掩膜板至少部分覆蓋第一曝光區(qū)域，且所述第一光刻膠在第二曝光區(qū)域形成第二光刻膠圖形；

對所述第一光刻膠和所述第二光刻膠進(jìn)行顯影處理，形成具有第一光刻膠圖形和第二光刻膠圖形的光刻膠臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：對所述光刻膠臺(tái)階結(jié)構(gòu)進(jìn)行固化處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底為半導(dǎo)體襯底或者在所述半導(dǎo)體襯底表面形成的介質(zhì)層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次曝光處理采用的第一曝光能量大于所述第二光刻膠的第二最低顯開能量，但小于所述第一光刻膠的第一最低顯開能量。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二次曝光處理采用的第二曝光能量大于所述第一最低顯開能量和所述第二最低顯開能量。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜區(qū)域?yàn)楸凰龅谝谎谀ぐ甯采w的區(qū)域，而所述第一曝光區(qū)域?yàn)槲幢凰龅谝谎谀ぐ甯采w的區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，第二掩膜區(qū)域?yàn)楸凰龅诙谀ぐ甯采w的區(qū)域，而所述第二曝光區(qū)域?yàn)槲幢凰龅诙谀ぐ甯采w的區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜板的尺寸大于所述第一掩膜板的尺寸，所述第二掩膜板整體覆蓋所述第一掩膜區(qū)域，并且至少部分覆蓋所述第一曝光區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述光刻膠臺(tái)階結(jié)構(gòu)的第一光刻膠圖形與所述第一掩膜板相對應(yīng)，而所述光刻膠臺(tái)階結(jié)構(gòu)的第二光刻膠圖形與所述第二掩膜板相對應(yīng)，其中所述光刻膠臺(tái)階結(jié)構(gòu)作為光柵，用于在其使用過程中光線產(chǎn)生干涉、衍射或反射來達(dá)到相應(yīng)的光學(xué)功能。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述基底表面形成有具有不同最低顯開能量的多層光刻膠，且所述多層光刻膠分別采用相應(yīng)的曝光能量進(jìn)行多次處理以形成具有多層臺(tái)階的光刻膠臺(tái)階結(jié)構(gòu)。