[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711322687.0
• 申請(qǐng)日: 2017-12-12
• 公開（公告）號(hào): CN108933201B
• 公開（公告）日: 2020-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余磊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/54
• 分類號(hào): H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 葉丹丹

本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件及其制備方法。該發(fā)光器件，包括空穴傳輸層，所述空穴傳輸層包括空穴傳輸材料和離子型過渡金屬配合物。上述發(fā)光器件，能夠降低空穴注入勢(shì)壘，促進(jìn)空穴的有效注入，平衡發(fā)光器件內(nèi)載流子的注入與傳輸，進(jìn)而提高發(fā)光器件的發(fā)光效率與器件壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)由于具有色彩飽和度高、發(fā)光顏色可調(diào)、光致發(fā)光效率高以及可溶液加工(旋涂、噴墨打印)等優(yōu)點(diǎn)，在大面積顯示方面有著廣闊的應(yīng)用前景而受到人們的廣泛關(guān)注。

QLED中的量子點(diǎn)材料在合成過程中，表面會(huì)有許多懸掛鍵以及表面缺陷態(tài)存在，使其光穩(wěn)定性差。因此，在發(fā)光器件中應(yīng)用的量子點(diǎn)材料一般是通過在量子點(diǎn)核的外層生長(zhǎng)寬帶隙的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體殼層或者是在表面添加表面活性劑等有機(jī)配體進(jìn)行鈍化，提高其量子效率和光穩(wěn)定性。一般地，基于Cd的II-VI族的半導(dǎo)體量子點(diǎn)在發(fā)光效率、色純度和發(fā)光光譜可調(diào)性等方面的性能表現(xiàn)最為突出，如CdSe/ZnS，CdSe/CdS/ZnS等材料，相關(guān)的電致發(fā)光器件研究的也最多。

但是，這些器件的電致發(fā)光效率以及器件壽命距離實(shí)用化還有較大的距離，主要是因?yàn)榱孔狱c(diǎn)材料的HOMO能級(jí)帶都比較深(達(dá)6-7eV)，過大的空穴注入勢(shì)壘造成器件內(nèi)部不平衡的載流子的注入與傳輸。傳統(tǒng)的QLED器件中，空穴注入或者傳輸層中所采用的空穴傳輸材料與大部分量子點(diǎn)材料間有較大的帶隙(大于0.8eV)，從而使得空穴注入差而造成器件性能較差。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)如何提高空穴的注入的問題，提供一種能夠提高空穴注入效果發(fā)光器件及其制備方法。

一種發(fā)光器件，包括空穴傳輸層，所述空穴傳輸層包括空穴傳輸材料和離子型過渡金屬配合物。

上述發(fā)光器件，空穴傳輸層包括空穴傳輸材料和離子型過渡金屬配合物，離子型過渡金屬配合物自身帶有自由離子，自由離子成對(duì)分布，從而外加電場(chǎng)時(shí)，自由離子在空穴傳輸層中向其與其他層相鄰的邊移動(dòng)，帶不同電荷的自由離子分別往兩個(gè)方向移動(dòng)，從而帶不同電荷的自由離子分別在空穴傳輸層與其相鄰的層的界面聚集，在空穴傳輸層內(nèi)形成一個(gè)較強(qiáng)的內(nèi)建電場(chǎng)，促進(jìn)空穴的有效注入，進(jìn)而提高發(fā)光器件的性能。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述離子型過渡金屬配合物的最高占有軌道大于所述空穴傳輸材料的最高占有軌道。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述離子型過渡金屬配合物中的過渡金屬選自銥、釕、鋨或銅。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述離子型過渡金屬配合物中的配體選自苯吡啶、2,2’-聯(lián)吡啶、1,10-鄰菲羅啉、三聯(lián)吡啶以及它們的衍生物中的一種或多種。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述離子型過渡金屬配合物選自[三(2-苯基吡啶)]銥(III)六氟磷酸、[(2-(1H-吡唑-1-基吡啶)(雙(2-苯基吡啶)]銥(III)六氟磷酸)、(4,4'-二叔丁基-2,2'-聯(lián)吡啶)雙[(2-苯基吡啶)]銥(III)六氟磷酸或4,4'-二叔丁基-2,2'-聯(lián)吡啶)雙(2-氟苯基-4-甲基吡啶銥(III)六氟磷酸)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴傳輸材料選自聚N-乙烯基咔唑、聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]以及聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)中的一種或多種。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述離子型過渡金屬配合物與所述空穴傳輸材料質(zhì)量比為(1％:99％)-(15％:85％)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述離子型過渡金屬配合物與所述空穴傳輸材料質(zhì)量比為(5％:95％)-(10％:90％)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光器件為量子點(diǎn)發(fā)光二極管。