[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711322180.5
• 申請(qǐng)日: 2017-12-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107946321B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林奕呈;蓋翠麗;張保俠;王玲;徐攀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L23/552;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本發(fā)明公開(kāi)一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，所述陣列基板包括層疊設(shè)置在基底上的遮光層和有源層，所述遮光層位于靠近所述基底的一側(cè)，所述遮光層在所述基底上的正投影覆蓋所述有源層在所述基底上的正投影；所述遮光層為黑色有機(jī)物材料。本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板，在基底上設(shè)置有遮光層和有源層，遮光層設(shè)置在靠近基底的一側(cè)，且遮光層在基底上的正投影覆蓋有源層在基底上的正投影，使遮光層可以完全遮擋有源層，防止光照對(duì)有源層產(chǎn)生影響，且本發(fā)明實(shí)施例的遮光層采用黑色有機(jī)物材料，不導(dǎo)電，可以直接設(shè)置在基底上，并在其上方形成陣列基板的其他結(jié)構(gòu)，不用增加過(guò)孔和換層而多占布局空間，工藝簡(jiǎn)單，遮光效果好，且易于實(shí)現(xiàn)高PPI。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術(shù)

金屬氧化物半導(dǎo)體因其具有工藝均勻性佳、低漏電、高遷移率等優(yōu)勢(shì)，目前被廣泛應(yīng)用于顯示裝置中。但是金屬氧化物半導(dǎo)體受光照后易影響其性能，尤其是當(dāng)其受到光照后，使得顯示裝置中的溝道內(nèi)載流子密度增加，使得TFT的閾值電壓向負(fù)值方向變化，且這種變化的不確定性以及不完全恢復(fù)等特性，使得金屬氧化物半導(dǎo)體在顯示裝置的應(yīng)用中受到局限。

目前金屬氧化物半導(dǎo)體用于陣列基板的有源層，主要通過(guò)遮光的方式避免其受到外界光照影響，底柵結(jié)構(gòu)一般是利用自身的柵極金屬作為遮光層，頂柵結(jié)構(gòu)一般是增加一層金屬作為遮光層。二者均存在很大缺陷，前者用柵極金屬作為遮光層，遮光效果差，側(cè)向光以及反射光都為照射到有源層，而由于設(shè)計(jì)的局限性，又不能將柵極做的太大，如果增加金屬層作為遮光層，結(jié)構(gòu)復(fù)雜不利于良率；后者通過(guò)增加金屬層作為遮光層，遮光金屬層不能懸空，必選連接到某一電位，以防止靜電不良，這就必然需要增加過(guò)孔以連接金屬遮光層至某一電位，且有源層需要導(dǎo)體化部分不能爬過(guò)遮光金屬層的邊界，防止影響導(dǎo)體化效果，這樣又增加了過(guò)孔和換層處，布局空間浪費(fèi)較多，結(jié)構(gòu)復(fù)雜不利于良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中遮光層設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)復(fù)雜利于良率的問(wèn)題。

第一方面，本發(fā)明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括層疊設(shè)置在基底上的遮光層和有源層，所述遮光層位于靠近所述基底的一側(cè)，所述遮光層在所述基底上的正投影覆蓋所述有源層在所述基底上的正投影；

所述遮光層為黑色有機(jī)物材料。

可選地，在所述遮光層與所述有源層之間還設(shè)置有絕緣層。

可選地，所述遮光層位于所述陣列基板的非開(kāi)口區(qū)域。

可選地，所述遮光層的材料為光阻樹(shù)脂類材料。

可選地，所述陣列基板為AMOLED型的底發(fā)射結(jié)構(gòu)的陣列基板。

第二方面，本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括上述陣列基板。

第三方面，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述顯示面板。

第四方面，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制備方法，包括：

提供基底；

在所述基底上依次圖案化形成遮光層和有源層；

其中，所述遮光層位于靠近所述基底的一側(cè)，所述遮光層在所述基底上的正投影覆蓋所述有源層在所述基底上的正投影，所述遮光層為黑色有機(jī)物材料。

可選地，所述在所述基底上依次圖案化形成遮光層和有源層還包括：

在所述基底上圖案化形成遮光層；

在所述遮光層上圖案化形成絕緣層；

圖案化形成有源層。

可選地，所述遮光層位于所述陣列基板的非開(kāi)口區(qū)域。