[發(fā)明專(zhuān)利]抗冷反射紅外靶標(biāo)制備方法及抗冷反射紅外靶標(biāo)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711319998.1
• 申請(qǐng)日: 2017-12-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109917617B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張?chǎng)?/a>;吳柯萱;魏樹(shù)弟;王志;杜繼東;何立平;張林軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京振興計(jì)量測(cè)試研究所
• 主分類(lèi)號(hào): G03F7/00
• 分類(lèi)號(hào): G03F7/00;G01M11/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種抗冷反射紅外靶標(biāo)制備方法，其特征在于，所述抗冷反射紅外靶標(biāo)制備方法包括：

步驟一，在多晶硅基底（10）上涂覆負(fù)性光刻膠層（20）；

步驟二，通過(guò)掩模板（30）對(duì)表面涂覆有所述負(fù)性光刻膠層（20）的所述多晶硅基底（10）進(jìn)行曝光，所述掩模板（30）具有與待成型的靶標(biāo)孔形狀相同的透光孔；

步驟三，對(duì)曝光后的表面涂覆有所述負(fù)性光刻膠層（20）的所述多晶硅基底（10）進(jìn)行顯影處理，以獲取表面具有靶標(biāo)孔形的負(fù)性光刻膠層（20）的多晶硅基底（10）；

步驟四，對(duì)表面具有靶標(biāo)孔形的負(fù)性光刻膠層（20）的多晶硅基底（10）進(jìn)行電腐蝕以獲取表面具有抗反射層（40）和靶標(biāo)孔形的負(fù)性光刻膠層（20）的多晶硅基底（10）；

步驟五，在所述抗反射層（40）和靶標(biāo)孔形的負(fù)性光刻膠層（20）上均涂覆一層膜層（50），所述膜層（50）用于保護(hù)所述抗反射層（40）；

步驟六，除去所述多晶硅基底（10）上的靶標(biāo)孔形的負(fù)性光刻膠層（20）以及設(shè)置在所述靶標(biāo)孔形的負(fù)性光刻膠層（20）上的所述膜層（50），以獲取抗冷反射紅外靶標(biāo)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗冷反射紅外靶標(biāo)制備方法，其特征在于，在所述步驟一中，所述多晶硅基底（10）的厚度大于100微米，所述負(fù)性光刻膠層（20）的厚度大于15微米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗冷反射紅外靶標(biāo)制備方法，其特征在于，所述步驟二具體包括：照明光路依次經(jīng)過(guò)掩模板（30）和投影光學(xué)系統(tǒng)，將所述掩模板（30）的圖形投影到所述多晶硅基底（10）表面的所述負(fù)性光刻膠層（20）上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗冷反射紅外靶標(biāo)制備方法，其特征在于，所述步驟三具體包括：將顯影液覆蓋在所述多晶硅基底 表面的所述負(fù)性光刻膠層（20）上，以獲取表面具有靶標(biāo)孔形的負(fù)性光刻膠層（20）的多晶硅基底（10）。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗冷反射紅外靶標(biāo)制備方法，其特征在于，所述步驟四具體包括：將表面具有靶標(biāo)孔形的負(fù)性光刻膠層（20）的多晶硅基底（10）浸沒(méi)在電腐蝕液中，通過(guò)控制電腐蝕的溫度以及電壓控制所述多晶硅基底（10）的腐蝕程度，以獲取表面具有抗反射層（40）和靶標(biāo)孔形的負(fù)性光刻膠層（20）的多晶硅基底（10）。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的抗冷反射紅外靶標(biāo)制備方法，其特征在于，所述電腐蝕的溫度范圍為20℃至30℃，所述電腐蝕的電壓為10V至30V。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗冷反射紅外靶標(biāo)制備方法，其特征在于，所述膜層（50）包括碳膜膜層，所述碳膜膜層的厚度小于所述負(fù)性光刻膠層（20）的厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抗冷反射紅外靶標(biāo)制備方法，其特征在于，所述碳膜膜層的厚度為5μm至10μm。

9.一種抗冷反射紅外靶標(biāo)，其特征在于，所述抗冷反射紅外靶標(biāo)使用如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的抗冷反射紅外靶標(biāo)制備方法制作。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗冷反射紅外靶標(biāo)，其特征在于，所述抗冷反射紅外靶標(biāo)具有靶標(biāo)孔，所述靶標(biāo)孔包括圓孔、矩形孔或十字孔，所述圓孔的直徑、所述矩形孔的線(xiàn)寬以及所述十字孔的線(xiàn)寬均小于10微米。