[發(fā)明專利]一種深Si通孔結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711319901.7 | 申請日： | 2017-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN107934907A | 公開（公告）日： | 2018-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳一峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 成都海威華芯科技有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 成都華風(fēng)專利事務(wù)所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐豐,張巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 si 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種深Si通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括帶有通孔的Si襯底、位于所述通孔中的第一金屬粘附層、位于所述第一金屬粘附層中間的金屬Ag、以及將金屬Ag封閉于所述通孔內(nèi)部的位于Si襯底上下表面的第一厚金屬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深Si通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的Si襯底包括高阻Si襯底、低阻Si襯底、SOI襯底、SiGe襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深Si通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的通孔深度為100～1000um，通孔的寬度大于等于5um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種深Si通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的第一金屬粘附層在所述通孔中分布不均勻，沿通孔中部方向厚度逐漸降低。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種深Si通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的第一金屬粘附層由厚變薄的厚度為1um～0.1um，第一金屬粘附層上下兩端至少覆蓋所述通孔的深度50um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深Si通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的第一金屬粘附層還包括延伸至所述通孔以外的位于Si襯底上下表面的部分；同時所述的深Si通孔結(jié)構(gòu)還包括位于Si襯底上下表面的第二金屬粘附層、以及位于上下第二金屬粘附層表面的第二厚金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深Si通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的金屬Ag為納米銀漿燒結(jié)固化后形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深Si通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的金屬Ag與所述的Si襯底的高度差小于等于50um。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種深Si通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的第一厚金屬的厚度大于等于1um，延伸出通孔至少2um。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的一種深Si通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的厚金屬為圖形化厚金屬或者表面全覆蓋厚金屬。
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