[發明專利]一種基于一次燒的內墻磚的制備工藝

在審

• 申請號: 201711318605.5
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN108002819A
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發明（設計）人: 江想健;萬祖安;楊九大;黃德權;譚熒堅;陳彥龍;汪先鎮;彭斐;王麗紅
• 申請（專利權）人: 廣東冠星陶瓷企業有限公司
• 主分類號: C04B35/14
• 分類號: C04B35/14;C04B35/622;C03C8/00
• 代理公司: 廣州市科豐知識產權代理事務所(普通合伙) 44467
• 代理人: 龔元元

本發明涉及陶瓷領域，具體地說，涉及一種基于一次燒的內墻磚的制備工藝，所述的內墻磚通過將原料球磨、壓坯、干燥、布釉和一次燒制后得到；其中，所述的原料包括如下組分：SiO2 64?65％；Al2O3 16.5?17.5％；Fe2O3 1.2?1.5；CaO+MgO 6.5?7.5％；K2O+Na2O2.0?2.5％；燒失量5?8％；所述的燒制過程中，溫度為1140?1150℃；燒制時間為75?80min本發明的目的是提供基于一次燒的內墻磚的制備工藝，該工藝制備得到的內墻磚尺寸變形率低、釉面品質恒定不受坯體影響。

技術領域

本發明涉及陶瓷領域，具體地說，涉及一種基于一次燒的內墻磚的制備工藝。

背景技術

現有的瓷磚制備過程中，可以分為一次燒制和二次燒制工藝。

一次燒制的工藝由于坯體排氮排氣效果差，導致釉面品質和坯體品質難于控制。

作為改進，業內大多采用二次燒制工藝，通過二次燒制工藝來保證釉面品質。但是二次燒制存在的問題也是不容忽視的，具體來說，能耗高、效率低、尺寸經過二次燒制后不容易控制、較低的尺寸精度要求對產品進行磨邊。

發明內容

本發明的目的是提供一種基于一次燒的內墻磚的制備工藝，該工藝制備得到的內墻磚尺寸變形率低、釉面品質恒定不受坯體影響。

本發明提供的技術方案為：一種基于一次燒的內墻磚的制備工藝，所述的內墻磚通過將原料球磨、壓坯、干燥、布釉和一次燒制后得到；

其中，所述的原料包括如下組分：

SiO2 64-65％；Al2O3 16.5-17.5％；Fe2O3 1.2-1.5；CaO+MgO 6.5-7.5％；K2O+Na2O 2.0-2.5％；燒失量5-8％；

優選地，述的原料包括如下組分：

SiO2 64-65％；Al2O3 17-17.5％；Fe2O3 1.2-1.5；CaO+MgO 6.5-7.5％；K2O+Na2O2.0-2.5％；燒失量7-8％；

所述的燒制過程中，溫度為1140-1150℃；燒制時間為75-80min。

在上述的基于一次燒的內墻磚的制備工藝中，所述的壓坯的壓力為18000-20000KN，所述的壓坯時間為6.5-8次/min。

在上述的基于一次燒的內墻磚的制備工藝中，所述的干燥的溫度為120-150℃，所述的干燥時間為65-75min。

在上述的基于一次燒的內墻磚的制備工藝中，所述的燒制過程中，溫度更為優選為1145℃；燒制時間更為優選為75min

有益效果：

本發明通過一次燒制工藝制備得到了符合標準的內墻磚產品，其邊長尺寸偏差為0.5-0.8mm，厚度偏差為±0.2mm；產品精度控制效果好，無需磨邊。表面平整度為0.4mm(相對于基準面，上凸或下凹距離)；斷裂模數為25-30MPa；莫氏硬度4。

具體實施方式

下面結合具體實施方式，對本發明的技術方案作進一步的詳細說明，但不構成對本發明的任何限制。

實施例一

一種基于一次燒的內墻磚的制備工藝，所述的內墻磚通過將原料球磨、壓坯、干燥、布釉和一次燒制后得到；

其中，所述的原料包括如下組分：

SiO2 64.5％；Al2O3 17％；Fe2O3 1.3；CaO+MgO 7％；K2O+Na2O 2.2％；燒失量8％；

所述的燒制過程中，溫度為1145℃；燒制時間為75-80min。