[發明專利]發光設備以及發光設備的制造方法

有效

• 申請號: 201711318223.2
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN108206228B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 姜鐘赫;趙顯敏;金大賢;李周悅;任鉉德
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L25/075
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;劉錚

本發明公開一種發光設備以及發光設備的制造方法。一種發光設備包括：基底；單位發光區域，設置在基底上；第一電極和第二電極，以彼此分離的方式設置在單位發光區域中；多個棒狀LED，設置在第一電極和第二電極之間；反射性接觸電極，設置在棒狀LED的相對端，以將棒狀LED電連接到第一電極和第二電極；以及透光結構，設置在第一電極和第二電極之間，并且延伸以與棒狀LED相交叉。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年12月19日提交的第10-2016-0173864號韓國專利申請的優先權和權益，出于所有目的，通過引用將其并入本文，如同在本文中完全闡述一樣。

技術領域

本發明構思的示例性實施例涉及一種發光設備以及發光設備的制造方法。

背景技術

發光二極管(以下簡稱為“LED”)即使在不利的環境條件下也會表現出相對良好的耐久性，并且在使用壽命和亮度方面具有優異的性能。近年來，針對將LED應用于各種發光設備進行了研究。

作為研究的一部分，正在開發用于使用無機晶體結構(例如，氮化物基半導體在其中生長的結構)來制造諸如達到微米級或納米級等的超小型棒狀LED的技術。例如，棒狀LED可以被制造成足夠小的尺寸，以形成自發光顯示面板的像素。

在該背景技術部分中公開的上述信息僅用于增強對本發明構思的背景的理解，并且因此，上述信息可以不包含形成本國對本領域普通技術人員而言為已知的現有技術的信息。

發明內容

示例性實施例提供一種包括棒狀LED并具有均勻的發光特性的發光設備以及發光設備的制造方法。

另外的方面將在以下的詳細描述中闡述，并且部分地將根據本公開而成為顯而易見的，或者可以通過對本發明構思的實踐而習得。

根據示例性實施例，一種發光設備包括：基底；單位發光區域，設置在基底上；第一電極和第二電極，以彼此分離的方式設置在單位發光區域中；多個棒狀LED，設置在第一電極和第二電極之間；反射性接觸電極，設置在多個棒狀LED的相對端，以將棒狀LED電連接到第一電極和第二電極；以及透光結構，設置在第一電極和第二電極之間，并且延伸以與棒狀LED相交叉。

在一些示例性實施例中，透光結構可以被設置為至少與棒狀LED的中心部分重疊，并且在與設置有基底的平面相交叉的方向上突出于棒狀LED的上方和下方，使得從棒狀LED發射出的光朝向基底的前方發送。

在一些示例性實施例中，第一電極和第二電極可以被設置為在單位發光區域的至少一個區域中彼此分離，并且透光結構可以在與第一電極和第二電極平行的方向上在第一電極和第二電極之間延伸，以與多個棒狀LED重疊。

在一些示例性實施例中，反射接觸電極可以包括：第一接觸電極，第一電極和棒狀LED的一端被連接到第一接觸電極；以及第二接觸電極，第二電極和棒狀LED的另一端被連接到第二接觸電極。

在一些示例性實施例中，反射接觸電極可以包括至少一個金屬層，該至少一個金屬層包括Ag、Cu、Ti/Al/Ti、ITO/Ag/ITO和Mo/Al/Mo中的至少一種。

在一些示例性實施例中，透光結構可以包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)和包含散射體的硅樹脂中的至少一種。

在一些示例性實施例中，散射體可以包含TiO₂和SiO₂中的至少一種。

在一些示例性實施例中，透光結構可以具有傾斜的側面，該傾斜的側面的寬度更靠近基底而逐漸減小。

在一些示例性實施例中，透光結構可以具有突出于棒狀LED上方的頂面，并且頂面可以具有不平坦的表面。