[發明專利]半導體器件、電子組件及方法

有效

• 申請號: 201711318207.3
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN108231728B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: M.科茨鮑爾;J.M.S.帕耶;M.施特歇爾;A.詹克爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;杜荔南

1.一種半導體器件，包括：

包括接觸襯墊的電流隔離信號傳輸耦合器，

其中所述接觸襯墊包括：

金屬基底層；

布置在金屬基底層上的金屬擴散屏障層；以及

布置在金屬擴散屏障層上的金屬線可接合層，

其中，金屬擴散屏障層包括第一部分、第二部分，所述第一部分具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面，第一部分的第一表面在外圍處包括彎曲表面，第一部分在橫向平面中延伸并且具有寬度，所述第二部分在第一部分的寬度的中間處從第二表面伸出，

第一隔離層，所述第一隔離層被布置在金屬基底層的外圍區段上并且具有暴露金屬基底層的一部分的第一開口，其中金屬擴散屏障層的第二部分被布置在第一隔離層中的第一開口中，并且金屬擴散屏障層的第一部分延伸到第一隔離層的鄰近第一開口的表面上，

第二隔離層，所述第二隔離層被布置在金屬線可接合層的外圍區段上并且包括暴露金屬線可接合層的一部分的第二開口，

金屬線可接合層上的金屬鈍化層，

其中金屬鈍化層被布置在第二開口中并且由第二開口定界。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，金屬基底層包括銅，和/或金屬擴散屏障層包括NiP，和/或金屬線可接合層包括Pd和/或金屬鈍化層包括Au。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，金屬鈍化層具有比金屬線可接合層的橫向范圍小的橫向范圍。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括第三隔離層和第四隔離層，所述第三隔離層包括被布置在第一隔離層上的環，所述第四隔離層被布置在第三隔離層的外部面上且在第一隔離層上，其中所述第二隔離層被布置在第四隔離層上并且金屬擴散屏障層的第一部分延伸到第四隔離層的鄰近第一開口的表面上。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，第一隔離層包括氫化Si_xN_y，第二隔離層包括酰亞胺，第三隔離層包括SiO_x或磷硅酸玻璃并且第四隔離層包括氫化Si_xN_y。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電流隔離信號傳輸耦合器包括電感式耦合器，所述電感式耦合器包括耦合到接觸襯墊的平面線圈。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述電感式耦合器包括與第一平面線圈一起布置在堆疊中并且通過包括SiO_x的隔離層與第一平面線圈電流隔離的第二平面線圈，并且被配置成提供針對至少10kV_peak的浪涌脈沖隔離電壓V_IOSM的加強電流隔離。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，還包括被布置成與第一平面線圈基本上共面并且耦合到接觸襯墊的第三平面線圈以及與第二平面線圈基本上共面并且被布置成與第三平面線圈堆疊的第四平面線圈。

9.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述平面線圈和金屬基底層被集成在半導體管芯中。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電流隔離信號傳輸耦合器包括電容式耦合器，并且所述接觸襯墊提供所述電容式耦合器的板。