[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201711317920.6 | 申請日: | 2017-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN108231791B | 公開(公告)日: | 2023-08-18 |
| 發明(設計)人: | 李海衍;郭源奎;文重守;陳昌奎 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;尹淑梅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
基底,包括彎曲區域和包含多個像素的平坦區域;
無機絕緣圖案,布置在所述彎曲區域中的所述基底上以彼此分開;
有機絕緣層,包括在所述彎曲區域中覆蓋所述無機絕緣圖案的凹凸表面;以及
布線,布置在所述有機絕緣層上并與所述無機絕緣圖案疊置,并且在所述有機絕緣層的所述凹凸表面的上方具有凹凸部分。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述無機絕緣圖案包括至少兩個順序地堆疊的無機絕緣層。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,
其中,所述多個像素中的每個像素包括位于所述基底上的晶體管和連接到所述晶體管的發射元件,
其中,所述晶體管包括:
緩沖層,位于所述基底上;
有源圖案,位于所述緩沖層上;
柵電極,位于所述有源圖案上的柵極絕緣層上;
層間絕緣層,位于所述柵電極上;
絕緣層,位于所述層間絕緣層上;以及
源電極和漏電極,位于所述絕緣層上,并且
其中,所述緩沖層、所述柵極絕緣層和所述層間絕緣層包括在所述彎曲區域中暴露所述基底的開口。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中,設置在所述開口中的所述無機絕緣圖案包括:
第一無機絕緣層,位于所述基底上;以及
第二無機絕緣層,位于所述第一無機絕緣層上。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置,
其中,所述第一無機絕緣層包括與所述緩沖層相同的材料,
其中,所述第二無機絕緣層包括與所述柵極絕緣層相同的材料。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置,其中,所述無機絕緣圖案還包括位于所述第二無機絕緣層上的第三無機絕緣層。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置,其中,所述第三無機絕緣層包括與所述層間絕緣層相同的材料。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置,其中,所述有機絕緣層從所述絕緣層延伸并填充所述開口。
9.根據權利要求7所述的顯示裝置,其中,所述絕緣層包括無機材料并且暴露與所述開口對應的所述基底。
10.根據權利要求9所述的顯示裝置,其中,所述有機絕緣層是包括填充所述開口的有機材料的填充絕緣層。
11.根據權利要求9所述的顯示裝置,其中,所述無機絕緣圖案還包括位于所述第三無機絕緣層上的第四無機絕緣層。
12.根據權利要求11所述的顯示裝置,其中,所述第四無機絕緣層包括與所述絕緣層相同的材料。
13.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,在與所述布線延伸的方向垂直的方向上,所述無機絕緣圖案的寬度不比所述布線的寬度小。
14.根據權利要求13所述的顯示裝置,其中,在所述布線延伸的方向上,所述無機絕緣圖案的相鄰的無機絕緣圖案之間的第一距離不比所述布線的在與所述布線延伸的方向垂直的方向上的所述寬度和所述無機絕緣圖案的所述寬度的總和的50%大。
15.根據權利要求14所述的顯示裝置,其中,在與所述布線延伸的方向垂直的方向上,所述相鄰的無機絕緣圖案之間的第二距離與所述第一距離相等。
16.根據權利要求14所述的顯示裝置,其中,所述有機絕緣層的厚度不比所述無機絕緣圖案的厚度的1.5倍大。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





