[發明專利]對被處理物進行處理的方法

有效

• 申請號: 201711316936.5
• 申請日: 2016-04-20
• 公開（公告）號: CN107808816B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 田原慈;西村榮一
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/311
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;王磊

1.一種對具有細孔的多孔質膜進行改性的處理方法，其特征在于：

包括蝕刻工序和灰化工序，

所述蝕刻工序包括重復實施包括如下工序的動作順序的步驟：

向收納有具有所述多孔質膜的被處理物的等離子體處理裝置的處理容器內供給包含處理氣體的第一氣體的工序，

向所述處理容器內供給第二氣體的工序，和

在所述處理容器內生成所述多孔質膜的蝕刻用的所述第二氣體的等離子體的工序；以及

在所述動作順序中設定在其上載置有所述被處理物的載臺的溫度，使所述處理氣體具有1Torr以下的飽和蒸氣壓的步驟，

其中，在設定所述載臺的溫度時，所述載臺的溫度根據使用被液化的處理氣體的所述飽和蒸氣壓和絕對溫度的實測值的外延而確定、或者利用由安托萬蒸氣壓經驗式規定的所述飽和蒸氣壓與所述絕對溫度的關系的計算而確定，

所述灰化工序在所述蝕刻工序之后進行，進行重復與所述蝕刻工序中進行的相同工序的步驟。

2.如權利要求1所述的處理方法，其特征在于：

在所述灰化工序之后，包括將所述載臺的溫度設定為能夠使所述細孔內的液體氣化的溫度的第一加熱工序。

3.如權利要求2所述的處理方法，其特征在于：

在所述灰化工序之后，還包括將所述載臺的溫度設定為能夠使所述細孔內的液體氣化的溫度的第二加熱工序。

4.如權利要求2或3所述的處理方法，其特征在于：

所述灰化工序使用含有氧或氫的氣體的等離子體。

5.如權利要求3所述的處理方法，其特征在于：

所述第一加熱工序和/或第二加熱工序在經由真空搬運系統與等離子體處理裝置連接的專用的裝置內實施。

6.如權利要求1～3中任一項所述的處理方法，其特征在于：

所述蝕刻工序和/或所述灰化工序中，供給所述第一氣體的所述工序中的所述處理容器內的空間的壓力為133.3帕斯卡以下。

7.如權利要求1～3中任一項所述的處理方法，其特征在于：

所述蝕刻工序和/或所述灰化工序中，生成所述第二氣體的等離子體的所述工序中的所述處理容器內的空間的壓力為40帕斯卡以下。

8.如權利要求1～3中任一項所述的處理方法，其特征在于：

所述蝕刻工序和/或所述灰化工序中，所述處理氣體包含碳氟化合物氣體。

9.如權利要求8所述的處理方法，其特征在于：

所述蝕刻工序和/或所述灰化工序中，所述碳氟化合物氣體包括C₇F₈氣體和C₆F₆氣體中的至少一種，

在供給所述第一氣體的所述工序中，供給至所述處理容器內的所述處理氣體的分壓為所述飽和蒸氣壓的100％以下。

10.如權利要求1～3中任一項所述的處理方法，其特征在于：

所述蝕刻工序和/或所述灰化工序中，所述處理氣體為烴氣體或含氧烴氣體。

11.如權利要求10所述的處理方法，其特征在于：

所述蝕刻工序和/或所述灰化工序中，所述含氧烴氣體中所含的分子中的氧原子的原子數相對于該分子中的碳原子的原子數為1/2以下。

12.如權利要求1～3中任一項所述的處理方法，其特征在于：

所述蝕刻工序和/或所述灰化工序中，還包括使來源于所述處理氣體的所述多孔質膜中的液體氣化生成氣體，對該氣體進行排氣的工序。