[發(fā)明專利]一種低插損毫米波數(shù)字衰減器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711316491.0 | 申請日： | 2017-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN108063604A | 公開（公告）日： | 2018-05-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 謝卓恒;范麟;余晉川;萬天才;劉永光;徐驊;李明劍 | 申請（專利權(quán)）人： | 重慶西南集成電路設(shè)計有限責任公司 |
| 主分類號： | H03H7/01 | 分類號： | H03H7/01;H03H7/12 |
| 代理公司： | 重慶市前沿專利事務(wù)所(普通合伙) 50211 | 代理人： | 郭云 |
| 地址： | 401332 重慶*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 低插損 毫米波 數(shù)字 衰減器 | ||
1.一種低插損毫米波數(shù)字衰減器，包括功率輸入端和功率輸出端，功率輸入端接收射頻輸入信號，功率輸出端連接負載，其特征在于：在所述功率輸入端和功率輸出端之間串聯(lián)連接有n級衰減單元，n取≥1的自然數(shù)；每一級衰減單元均由射頻開關(guān)和四分之一波長微帶線構(gòu)成；所有的四分之一波長微帶線串聯(lián)連接，第一級衰減單元的四分之一波長微帶線輸入端與功率輸入端連接，最后一級衰減單元的四分之一波長微帶線的輸出端連接功率輸出端；每一級衰減單元的射頻開關(guān)的控制端接收開關(guān)控制信號；當某個射頻開關(guān)截止時，與該截止的射頻開關(guān)對應(yīng)的衰減單元將收到的射頻信號通過對應(yīng)的四分之一波長微帶線傳輸?shù)较乱患壦p單元；當某個射頻開關(guān)導(dǎo)通時，與該導(dǎo)通的射頻開關(guān)對應(yīng)的衰減單元將收到的射頻信號通過該導(dǎo)通的射頻開關(guān)衰減后再通過對應(yīng)的四分之一波長微帶線傳輸?shù)较乱患壦p單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低插損毫米波數(shù)字衰減器，其特征在于：射頻開關(guān)由MOS場效應(yīng)管構(gòu)成，MOS場效應(yīng)管的柵極為射頻開關(guān)的控制端，接收開關(guān)控制信號；MOS場效應(yīng)管的源極接地，MOS場效應(yīng)管的漏極接四分之一波長微帶線輸入端。
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