[發明專利]射頻功率放大電路及其超帶寬輸出匹配電路

在審

• 申請號: 201711314625.5
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN108134585A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 趙罡
• 申請（專利權）人: 無錫中普微電子有限公司
• 主分類號: H03F3/19
• 分類號: H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24;H03F1/56
• 代理公司: 蘇州市新蘇專利事務所有限公司 32221
• 代理人: 朱亦倩

1.一種射頻功率放大器的輸出匹配電路，其特征在于，其包括：

射頻輸入端；

射頻輸出端；

依次耦接于所述射頻輸入端和所述射頻輸出端的第一電感、第二電容、第三電容、第四電感；

耦接于第一電感的與第二電容耦接的連接端和接地端之間的第一電容；

耦接于第二電容的與第三電容耦接的連接端和接地端之間的第二電感；

耦接于第三電容的與第四電感耦接的連接端和接地端之間的第三電感。

2.根據權利要求1所述的輸出匹配電路，其特征在于，

射頻輸入端的輸出電阻為第一預定值；

通過第一電感和第一電容將第一電感和第一電容的連接節點的輸出電阻匹配至第二預定值；

通過第二電感和第二電容將第二電感和第二電容的連接節點的輸出電阻匹配至第三預定值；

通過第三電感、第三電容、第四電感將第三電感和第三電容的連接節點的輸出電阻匹配至50歐姆，

第一預定值小于第二預定值，第二預定值小于第三預定值，第三預定值小于50歐姆。

3.根據權利要求2所述的輸出匹配電路，其特征在于，第一預定值的取值范圍為2-5歐姆；第二預定值的取值范圍為7-10歐姆；第三預定值的取值范圍為18-23歐姆。

4.根據權利要求1所述的輸出匹配電路，其特征在于，第一電感和第一電容組成一個低通濾波器，第二電感和第二電容組成一個高通濾波器，第三電感和第三電容組成一個高通濾波器，第四電感能夠增大頻帶內的平坦度，第四電感的取值取決于選擇的不同的頻帶。

5.一種射頻功率放大電路，其特征在于，其包括：

射頻功率放大器；

耦接于所述射頻功率放大器的輸出端的輸出匹配電路，

所述輸出匹配電路為權利要求1-4任一所述的輸出匹配電路，其中輸出匹配電路的射頻輸入端與所述射頻功率放大器的射頻輸出端耦接。

6.根據權利要求5所述的射頻功率放大電路，其特征在于，所述射頻功率放大器，其包括：

射頻輸入端；

射頻輸出端；

依次耦接于所述射頻輸入端和所述射頻輸出端之間的多級射頻功率放大單元和輸出濾波電路，每級射頻功率放大單元均包括一雙極型晶體管；

耦接于初級射頻功率放大單元的雙極型晶體管的集電極和基極之間的反饋電路，該反饋電路包括有模式控制端，通過調整模式控制端的電壓值來調整所述反饋電路的阻抗狀態，進而調整所述射頻功率放大器工作在不同工作模式下。

7.根據權利要求6所述的射頻功率放大電路，其特征在于，每級射頻功率放大單元還包括電容、電感、偏置電路，電容的一端耦接于上一級射頻功率放大單元的輸出端或射頻輸入端，所述電容的另一端耦接于本級射頻功率放大單元的雙極型晶體管的基極，雙極型晶體管的集電極通過所述電感耦接于電源端，雙極型晶體管的發射極耦接至地，所述偏置電路的輸出端耦接于本級射頻功率放大單元的雙極型晶體管的基極，并給所述雙極型晶體管的基極提供偏置電壓。

8.根據權利要求7所述的射頻功率放大電路，其特征在于，所述偏置電路包括偏置雙極型晶體管、第四電阻、第五電阻、第二二極管和第三二極管，其中第四電阻、第二二極管和第三二極管依次串聯于參考電壓和接地端之間，其中第二二極管的陽極與第四電阻相連，第三二極管的陽極與第二二極管的陰極相連，偏置雙極型晶體管的基極耦接于第四電阻和一個二極管的陽極之間，偏置雙極型晶體管的集電極與所述參考電壓相連，所述偏置雙極型晶體管的發射極通過第五電阻耦接于接地端，所述偏置雙極型晶體管的發射極提供所述偏置電壓。